一种6 GHz~32 GHz超宽带GaN功率放大器芯片研究  

作　　者：王佳佳 边照科 刘帅[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2024年第9期1-3,共3页Telecom World

摘　　要：为解决超宽带功率放大器芯片在高频段功率低、增益低的问题,基于0.15μm工艺,对一种6 GHz~32 GHz超宽带功率放大器芯片进行研究。通过采用两级非均匀分布式结构和在有源器件栅极增加电容电阻并联结构,提升电路的高频特性,最终该芯片在6 GHz~32 GHz频段内的输出功率大于37 dBm,功率附加效率大于18%,功率增益大于14 dB。

关 键 词：超宽带 高增益 高效率 两级非均匀分布式结构 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]