2 GHz~6 GHz宽带高效率功率放大器芯片  

作　　者：张斌[1] 范悬悬 刘帅[1] 银军[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2023年第8期181-183,共3页Telecom World

摘　　要：设计一种采用4英寸0.25μm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺、工作频率在2 GHz~6 GHz的宽带GaN单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)功率放大器芯片。设计过程中采用两级放大结构来提升功率增益,并采用有耗匹配结构进行阻抗匹配。在栅极Vg=-2 V,漏极电压Vd=28 V的连续波测试条件下,实际测得的饱和输出功率大于5 W,功率附加效率大于45%,功率增益大于24 dB。

关 键 词：宽带 高效率 氮化镓 连续波 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]