附加相移

作品数：41被引量：82H指数：5
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一种低附加相移多通道宽带R组件的设计与实现
《无线互联科技》2024年第1期12-16,共5页王心力 
相控阵雷达接收机常使用数控衰减器对接收增益进行控制,用以扩展接收机的动态范围。在不同衰减情况下需要保证各通道间的相位一致性,这就要求数控衰减器具有较低的附加相移。文章设计并制作了一款工作在6~18 GHz的低附加相移多通道宽带...
关键词：宽带 R组件 低附加相移 
28 GHz CMOS可变增益双向有源移相器设计
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2023年第6期29-35,共7页顾壮志 张长春 张翼 张瑛 袁丰 
国家自然科学基金(62174090)资助项目。
基于65 nm CMOS工艺设计了一种可用于5G毫米波相控阵系统的可变增益双向有源移相器。该移相器采用二阶多相滤波器产生正交信号,利用矢量调制器实现移相和增益调节,利用开关切换信号传递方向。矢量调制器前级采用吉尔伯特单元对正交信号...
关键词：有源移相器 可变增益 多相滤波器 低附加相移 双向相移 
高精度、低附加相移数控衰减器设计
《通信电源技术》2023年第19期4-6,共3页张磊 
采用0.13μm双极的互补金属氧化物半导体(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,设计了一款高精度、低附加相移的6位数控衰减器。电路采用6个基本衰减单元级联组合的方式,通过控制各衰减单元的工作状态,实现64...
关键词：衰减器 高精度 低附加相移 相控阵系统 
一款BiCMOS工艺的低附加相移衰减器
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第4期14-20,共7页张超 陈奇超 叶乔霞 高海军 
采用0.18μm BiCMOS工艺,设计了一款工作频率为17~42 GHz的5位低附加相移、超宽带衰减器。小衰减单元采用简化的T型衰减结构,大衰减单元采用π型衰减结构,且每个衰减单元均采用电容和电阻并联的方式对附加相移进行补偿。测试结果表明,在...
关键词：衰减器 低附加相移 相移补偿网络 
S频段500 W高稳相固态功放设计
《电子技术应用》2023年第7期7-10,共4页李成虎 
介绍了一种S频段500 W高稳相固态功放的工程实现。根据实际工程需求,采用4片功率芯片进行大功率合成,在2025 MHz~2120 MHz频率范围内实现输出功率大于600 W的固态功率放大器。采用了低附加相移电路设计、微波板材模块化设计、功率回退...
关键词：S频段 固态功放 高稳相 低附加相移 
一种L波段的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器
《中国集成电路》2023年第7期53-56,71,共5页王楠 杨格亮 陈超 
本文设计了一种集成了电平转换驱动电路的DC~2GHz的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器。分析了两种传统的开关型的T型和∏型衰减器的拓扑结构[1],通过对传统T型和∏型衰减器架构的改进,实现在DC~2GHz的高精度低附加相移的2位MMIC数...
关键词：衰减器 相控阵 GaAs 高精度 低附加相移 电平转换 
(10~20)GHz低附加相移数控衰减器设计
《电子产品世界》2023年第5期68-70,81,共4页万开奇 喻阳 顾世玲 
基于GaAs 0.25μm pHEMT工艺,设计一款高精度、低附加相移数控衰减器。该低附加相移数控衰减器由6位衰减单元级联组成,衰减范围为(0~31.5)dB,步进为0.5 dB。在(10~20)GHz工作频率范围内,衰减器插损小于4.8 dB,所有衰减状态衰减精度不大...
关键词：高精度 低附加相移 数控衰减器 
一种DC~10GHz的低附加相移高衰减精度的开关型衰减器
《中国集成电路》2023年第4期50-54,共5页王楠 
本文设计了一种DC~10GHz的带有低附加相移以及高衰减精度的6位开关型衰减器。分析了三种传统的开关型的T型、简化T型以及∏型衰减器的拓扑结构[1],通过在∏型衰减器的结构中采用电感和电容补偿技术,实现在超宽带范围内的低附加相移[2]...
关键词：衰减器 相控阵 CMOS 开关型 相位补偿 低插入损耗 
幅度校准功能的低附加相移数控衰减器
《电子技术应用》2023年第2期26-31,共6页李想 
提出了一种可用于Ka波段相控阵系统的高精度低附加相移五位数控衰减器(Digital Controlled Attenuator,DCA)。该DCA采用了嵌入式开关的T型、简化T型和Π型三种衰减结构设计基本衰减单元,实现了15.5 dB的衰减动态范围和0.5 dB的最小衰减...
关键词：数控衰减器 幅度校准 低幅度误差 低附加相移 
10~26GHz CMOS六位数控衰减器设计与实现
《计算机测量与控制》2023年第1期276-281,300,共7页雒寒阳 李斌 陈卫东 
为了使衰减器更好的适应相控阵系统对高集成度波束赋形电路的应用需求;基于55 nm CMOS工艺,设计了一款具有低插入损耗、低附加相移特性的六位数控衰减器,该数控衰减器采用桥T和π型衰减结构级联而成,在10~26 GHz频率范围内实现步进为0.5...
关键词：集成电路技术 数控衰减器 CMOS NOMS开关 附加相移 
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