最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件  

0.25μm InP DHBT with f_(max)=620GHz

作　　者：戴姜平 孙岩[1] 李征 常龙[1] 姚靖懿 程伟[1] DAI Jiangping;SUN Yan;LI Zheng;CHANG Long;YAO Jingyi;CHENG Wei(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2021年第3期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能,器件电流增益(β)为25,击穿电压(BVCEO)为4.2 V(Je=10 μA/μm2),电流增益截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)分别达到390 GHz和620 GHz。基于0.25 μm InP DHBT工艺,研制了340GHz单片集成放大器,该放大器小信号S参数测试结果如图3所示,300 GHz 增益为 15 dB,340 GHz 增益为 7.5 dB。

关 键 词：单片集成电路 击穿电压 最高振荡频率 电流增益 高频性能 截止频率 磷化铟 DHBT 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]