300GHz InP DHBT单片集成放大器  

A 300 GHz InP DHBT Amplifier MMIC

作　　者：孙岩[1] 程伟[1] 陆海燕[1] 王元[1] 常龙[1] 孔月婵[1] 陈堂胜[1] 

机构地区：[1]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2017年第4期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器的研制，例如美国Teledyne公司利用InP DHBT工艺研制T220GHz200mW的功率MMIC。

关 键 词：DHBT 单片集成放大器 INP 异质结双极型晶体管 功率放大器 SI/SIGE 太赫兹 宽带通信 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]