李明

作品数：3被引量：7H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：GAAS_PHEMT高电子迁移率晶体管多功能芯片MMICW波段更多>>
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基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2022年第3期237-242,共6页许春良 李明 王雨桐 魏洪涛 
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制。该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益。用电子设计...
关键词：GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) W波段 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 
基于GaAs pHEMT的W波段多通道发射前端MMIC研究
《微波学报》2020年第S01期222-224,共3页王雨桐 方园 林勇 薛昊东 汪璐 陈艳 卢军廷 郑俊平 李明 
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35G...
关键词：GaAs PHEMT 倍频器 功率放大器 单刀四掷开关 
基于GaAs PHEMT的5～12 GHz收发一体多功能芯片被引量：7
《半导体技术》2015年第1期8-11,62,共5页李明 吴洪江 魏洪涛 韩芹 
基于GaAs赝高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一种5-12 GHz的收发一体多功能芯片（T/R MFC）,其具有噪声低、增益高和中等功率等特点。电路由低噪声放大器和多个单刀双掷（SPDT）开关构成。为了获得较低的噪声系数和较大的增益,...
关键词：GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT) 自偏置结构 收发一体多功能芯片 低噪声放大器 单刀双掷(SPDT)开关 
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