单片功率放大器

作品数：25被引量：43H指数：4
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相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所中国科学院电子科技大学更多>>
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L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器被引量：6
《固体电子学研究与进展》2017年第6期384-388,共5页蔺兰峰 周衍芳 黎明 陶洪琪 
研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷...
关键词：GAN L波段 高效率 大功率 准单片 
基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》2016年第5期435-,共1页程伟 孙岩 王元 陆海燕 常龙 李骁 张勇 徐锐敏 
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使...
关键词：DHBT 单片 集成功率放大器 InP DHBT 
W波段GaN单片功率放大器研制被引量：11
《固体电子学研究与进展》2016年第4期266-269,共4页吴少兵 高建峰 王维波 章军云 
报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.3A/mm,最大跨导为430mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90GHz及210GHz。采用该...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 W波段 电子束直写 功率放大器 
基于MOSFET的高频宽带线性单片功率放大器研究
《赣南师范学院学报》2015年第6期35-38,共4页袁寿财 李孟山 张文 刘亚媚 宋力 
国家自然科学基金项目(51377025)
本文基于功率MOSFET设计高频宽带线性功率放大器单片集成电路,主要针对功率放大器自身功耗和因高频下电路容性负载引起的信号相移及与此有关的功率放大器的效率问题.特别是选用高频功率MOSFET器件,通过电路优化设计使功放的转换速率达...
关键词：功率MOSFET 功率放大器 单片集成电路 研究 宽带 
具有高功率输出接口的罗氏线圈电流互感器被引量：1
《电测与仪表》2013年第S1期122-125,共4页梁汉祥 张冈 黄莹 
罗氏线圈以其高精度、良好的线性度以及不饱和等显著优点,在电流测量领域显现出广阔的应用前景,尤其是在工频大电流和脉冲电流的测量方面更是独占鳌头。但它的输出信号通常为模拟电压或数字脉冲信号,而工业现场大量使用的测控仪表和继...
关键词：罗氏线圈 高功率输出接口 单片功率放大器 
S波段大功率GaAs PHEMT单片放大器被引量：2
《微纳电子技术》2011年第8期489-493,共5页武继斌 吴洪江 张志国 高学邦 
GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%。建立了基于EEHEMT的大信...
关键词：AlGaAs/InGaAs PHEMT 单片功率放大器 大功率 S波段 
Ku波段单片功率放大器设计与制作被引量：4
《半导体技术》2011年第6期470-473,共4页刘如青 吴洪江 高学邦 付兴昌 倪涛 
介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程。芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAsMM IC测试技术等进行了相应描述。在芯片...
关键词：KU波段 功率放大器 脉冲 芯片 砷化镓 
宽带GaN单片功率放大器研究
《半导体技术》2010年第8期813-815,共3页王会智 闫锐 刘波 冯志红 何庆国 蔡树军 
国家自然科学基金资助项目(60890192;60876009)
基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器。简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaNHEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性...
关键词：ALGAN/GAN 宽带 单片 放大器 脉冲 
Ku波段GaAs单片功率放大器被引量：1
《微纳电子技术》2010年第7期456-459,共4页王会智 吴思汉 何庆国 
基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器。经过精准测试,...
关键词：GAAS KU波段 单片放大器 PHEMT 脉冲 
8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器被引量：2
《电子与封装》2007年第10期29-32,共4页王义 李拂晓 唐世军 郑维彬 
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于...
关键词：GAAS PHEMT 宽带 准单片 功率放大器 
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