王义

作品数：1被引量：2H指数：1
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8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器被引量：2
《电子与封装》2007年第10期29-32,共4页王义 李拂晓 唐世军 郑维彬 
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于...
关键词：GAAS PHEMT 宽带 准单片 功率放大器 
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