郑维彬

作品数：2被引量：7H指数：2
导出分析报告
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：HEMTSALGAN/GAN_HEMTAIGAN/GANPOWERMMICS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《电子与封装》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
14W X-Band AlGaN/GaN HEMT Power MMICs被引量：5
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1027-1030,共4页陈堂胜 张斌 任春江 焦刚 郑维彬 陈辰 
The development of an AIGaN/GaN HEMT power MMIC on SI-SiC designed in microstrip technology is pres- ented. A recessed-gate and a field-plate are used in the device processing to improve the performance of the AIGaN/G...
关键词：X-BAND AIGAN/GAN HEMTS power MMIC 
8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器被引量：2
《电子与封装》2007年第10期29-32,共4页王义 李拂晓 唐世军 郑维彬 
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于...
关键词：GAAS PHEMT 宽带 准单片 功率放大器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部