8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器  

8.5GHz～10GHz GaAs Quasi-MMIC Power Amplifier

作　　者：王义[1] 李拂晓[1] 唐世军[1] 郑维彬[1] 

机构地区：[1]单片集成电路及模块电路国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《电子与封装》2007年第10期29-32,共4页Electronics & Packaging

摘　　要：文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。A quasi-MMIC power amplifier is presented in this paper. Using one 12mm power pHEMT transistor which is fabricated by Nanjing Electric Devices Institute, the amplifier demonstrates a representative output power of 5W, a power gain of more than 6dB, relative bandwidth of more than 16%, representative PAE of 25%, and input VSWR better than 2.5 across the band of 8.5GHz- 10GHz.

关 键 词：GAAS PHEMT 宽带 准单片 功率放大器 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]