王会智

作品数：5被引量：8H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：单片微波集成电路宽带MMIC功率放大器单片功率放大器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《微波学报》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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2～8GHz宽带GaN功率放大器MMIC被引量：1
《电子元件与材料》2016年第5期56-59,共4页王会智 高学邦 刘波 张力江 冯志红 
基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的28 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电...
关键词：氮化镓 功率放大器 28 GHZ 单片微波集成电路 宽带 两级拓扑 
S波段GaN功率放大器MMIC被引量：3
《半导体技术》2016年第4期271-275,共5页王会智 吴洪江 张力江 冯志红 崔玉兴 
基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款S波段Ga N功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。该电路采用三级拓扑放大结构,提高了放大器的增益;采用电抗匹配方式,减小了电路输出级的损耗,提高了MMIC的功率和效率。输出级有源器件的布局优化,...
关键词：氮化镓 功率放大器 S波段 单片微波集成电路(MMIC) 连续波(CW) 脉冲 
新型4-bit和5-bit宽带砷化镓单片数字移相器被引量：3
《微波学报》2011年第4期68-72,共5页王会智 
在GaAs基片上实现的多级级联3dB耦合线开关反射式宽带单片数字移相器在相移精度、输入回损等关键性能上良好,但通常面积很大,而多级级联的高低通网络移相器面积较小而宽带性能较差。通过多节GaAspHEMT开关的组合改变3dB耦合线的直通端...
关键词：GaAs pHEMT 宽带 单片微波集成电路 数字移相器 芯片面积 
宽带GaN单片功率放大器研究
《半导体技术》2010年第8期813-815,共3页王会智 闫锐 刘波 冯志红 何庆国 蔡树军 
国家自然科学基金资助项目(60890192;60876009)
基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器。简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaNHEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性...
关键词：ALGAN/GAN 宽带 单片 放大器 脉冲 
Ku波段GaAs单片功率放大器被引量：1
《微纳电子技术》2010年第7期456-459,共4页王会智 吴思汉 何庆国 
基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器。经过精准测试,...
关键词：GAAS KU波段 单片放大器 PHEMT 脉冲 
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