Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制  

Ku-band GaN T/R Multi-functional MMIC

作　　者：彭龙新 任春江[1,2] 戈勤[2] 詹月 沈宏昌[2] 李建平[2] 彭建业[2] 徐波[2] 

机构地区：[1]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 [2]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2016年第3期257-,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：<正>首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器、小信号开关、驱动放大器、功率放大器和功率开关,如图1所示。在16~17 GHz工作频率内测得接收通道增益≥20±0.5 dB,噪声系数≤3.5 dB;发射通道增益约44 dB,饱和功率41 dBm(脉冲宽度100μs,10%占空比),功率附加效率约30%。

关 键 词：低噪声放大器 移相器 接收通道 功率附加效率 功率开关 Ku波段GaN T/R MMIC 噪声系数 占空比 衰减器 

分 类 号：TN409[电子电信—微电子学与固体电子学]