焦芳

作品数：4被引量：8H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：放大器波段GAN高电子迁移率晶体管NM功率放大器更多>>
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GaAs多功能MMIC在片测试系统设计被引量：1
《电子与封装》2021年第3期32-35,共4页陈金远 焦芳 王逸铭 林罡 
GaAs多功能MMIC集成度高,数模混合驱动及测试需求考验测试平台的兼容性和稳定性。采用PXI平台模块化测试仪器结合矢量网络分析仪设计多功能MMIC在片测试系统,满足GaAs多功能MMIC的数模混合信号驱动、检测需求,保证测试稳定性。
关键词：多功能MMIC PXI 逻辑电路 模块化仪器 
0.1~6.0 GHz pHEMT达林顿放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第3期169-172,共4页焦芳 陈金远 
采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负反馈,并采用了有源偏置。在0.1~6.0 GHz范围内,小信号增益大于23dB,平坦度小于±1 dB,驻波小于2,噪声系数...
关键词：达林顿放大器 共源共栅 增强型pHEMT 宽带 
基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器被引量：5
《固体电子学研究与进展》2019年第3期155-158,193,共5页张政 焦芳 吴少兵 张凯 李忠辉 陆海燕 陈堂胜 
报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 G波段 电子束直写 功率放大器 
一种基于PNA-X的脉冲功率放大器效率快速测试方法被引量：1
《电子与封装》2015年第11期10-13,共4页陈金远 李智群 钱峰 焦芳 
效率是功率放大器的关键参数之一,有着多种成熟的相关测试技术。讨论了几种常见功率放大器效率测试的方法,针对脉冲功率放大器在片生产应用测试技术要求,分析了各测试方法的优缺点,并在综合各测试方法的基础上引出一种新的功率放大器效...
关键词：效率 动态电流 脉冲功率放大器 快速测试 
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