韩斌

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低维InP材料的表征和生长机理研究
《发光学报》2024年第5期779-793,共15页牛艳萍 马淑芳 董浩琰 阳智 郝晓东 韩斌 吴胜利 董海亮 许并社 
国家自然科学基金(21972103);山西浙大新材料与化工研究院(2022SX-TD018,2021SX-AT007)。
磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ半导体材料,由于其独特的光学和电学特性,近年来备受关注。大量的研究表明,它在光电子、催化、医学等领域具有潜在的应用前景。但目前在低维InP纳米材料的可控制备和大规模合成研究中还存在一些问题有待解决...
关键词:磷化铟 纳米线 纳米柱 材料特性 生长机制 
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