射频特性

作品数：34被引量：49H指数：3
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不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性
《半导体技术》2023年第7期570-576,共7页刘先婷 刘伟景 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185;62174055)。
无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性...
关键词：无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET) 反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET) 模拟/射频(RF)特性 环境温度 传导模式 
hBN栅绝缘介质石墨烯射频场效应管建模与性能研究
《电子元件与材料》2023年第4期445-450,共6页王进军 白斌辉 徐晨昱 杨嘉伦 刘宇 
2018年度陕西省教育厅科研计划项目(18JK0103)。
具有原子级平滑表面的hBN(六方氮化硼)不仅与石墨烯有相同的二维平面结构,而且还有许多相似的特性,采用hBN作为栅绝缘介质,有望可以提升石墨烯射频场效应管的性能。为了研究hBN栅绝缘介质石墨烯射频场效应管的射频特性,基于SILVACO TCA...
关键词：石墨烯 六方氮化硼 场效应晶体管 射频特性 TCAD 
一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管的设计
《德州学院学报》2022年第2期20-23,共4页许会芳 
安徽省高等学校省级质量工程项目“基于OBE理念构建电子信息工程专业教学质量监控体系理论探索与实践创新研究”(项目编号:2020jyxm1378)。
隧穿场效应晶体管因其带带隧穿的工作机制、低的亚阈值摆幅、低的泄漏电流而成为当前主要器件领域研究的一个热点,但其开态电流低。因此,提出一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管,器件的低栅和靠近源区的顶栅的功函数为4.15 eV,靠近漏区...
关键词：隧穿场效应晶体管 异质结 开态电流 射频特性 
LTE终端设备无线射频关建性能指标测试解析
《中国安全防范技术与应用》2020年第6期46-48,共3页韩井玉 
本文主要介绍了LTE终端的发射功率、发射信号质量和接收机性能等主要射频指标,并对射频指标测试目的和测试配置信息等进行分析,为LTE终端射频指标的测试提供指导和帮助。
关键词：终端设备 射频指标 发射机射频特性 接收机射频特性 
FinFET器件在极低温下特性研究
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2020年第5期13-17,58,共6页吴钰鑫 刘军 汪国芳 罗琳 
研究FinFET器件在极低温下DC和RF特性。在低温测试台中,5组不同温度(77 K,120 K,200 K,250 K,300 K)下,将4对体硅FinFET器件进行在片测试。对测试得到的射频参数进行open-short去嵌处理,对处理后的数据进行对比分析。和器件工作在室温(3...
关键词：FINFET 极低温 直流特性 射频特性 
基于R&S FE44模块的5GG基站解决方案
《传感器世界》2020年第4期46-46,共1页无 
为了对FR2频率范围的5G基站进行OTA测试,罗德与施瓦茨公司推出了基于R&S FE44前端模块的独特解决方案,该模块支持更低频率的中频信号的生成和分析。由于不再需要针对毫米波频段设计的设备,因此可以实现5G信号的低损耗传输,从而能提供经...
关键词：毫米波频段 中频信号 频率范围 前端模块 矢量信号发生器 被测设备 射频特性 低频率 
多层LCP基板中铜浆垂直互连射频特性的研究被引量：1
《电子元件与材料》2019年第9期87-93,共7页刘维红 康昕 张博 吴思诚 刘鹏程 
国防科工局“十三五”国防基础科研项目(JCKY2016203C081);陕西省教育厅服务地方产业化专项(15JF029)
液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer,LCP)因其良好的射频特性近年来被广泛应用于射频电路系统集成。但是由于LCP作为一种新型的集成材料,盲埋孔技术实现困难,难以制作多层板结构。前期研究表明,利用铜浆互连工艺,可实现多层LCP基...
关键词：多层LCP技术 铜浆互连 垂直互连结构 等效电路 射频特性 
蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT被引量：1
《半导体技术》2019年第6期433-437,共5页顾国栋 敦少博 郭红雨 韩婷婷 吕元杰 房玉龙 张志荣 冯志红 
研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3μm的增强型AlGaN/GaN HEMT。所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导...
关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 增强型 低损伤刻蚀 栅凹槽 射频特性 
高河矿井回风巷道通信射频传输特性及最优频率分析被引量：1
《现代矿业》2018年第10期164-165,167,共3页王燕妮 
为了能够最大限度地保障回风巷道作业人员生命安全,根据高河矿井下回风巷道实际情况,采用无线射频通信技术实现安全生产调度与回风巷道作业人员的实时通信,主要对无线通信系统中射频频率在回风巷道中传播特性进行研究,共分析了433 MHz,9...
关键词：回风巷道 射频特性 最优频率 调度通信 
基于有限元方法TO-5射频继电器RF特性优化研究被引量：1
《机电元件》2018年第3期7-10,共4页金鑫宇 徐乐 翟国富 李敏芳 
射频特性是描述射频继电器的重要指标,通过基于有限元仿真的方法进行继电器射频性能优化,可以大大的提高优化效率,节省人力财力。通过对某型TO-5小型气密封射频电磁继电器插入损耗的优化为例,介绍了该方法的主要思路,并通过对继电器簧...
关键词：射频电磁继电器 射频特性 有限元仿真 簧片 
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