一种基于求和型CMOS基准电流源的RC振荡器  

作　　者：唐俊龙[1] 罗磊[1] 肖仕勋 韦钰 曹韬 邹望辉 

机构地区：[1]长沙理工大学物理与电子科学学院

出　　处：《电子世界》2019年第3期11-13,共3页Electronics World

基　　金：国家科技支撑计划项目(2014BAH28F04);湖南省教育厅创新平台开放基金项目(17K004);柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室

摘　　要：基于HHNEC 0.35μm 5V CMOS工艺,提出一种自偏置共源共栅电流镜结构的改进新颖求和型CMOS基准电流源,产生一个低温漂基准电流作为充放电电流,设计了一款应用于温度传感器芯片的高精度RC振荡器,采用共质心结构和虚拟管匹配技术完成RC振荡器版图。仿真结果表明,在温度范围为-40℃~80℃,电源电压范围为4.5V^5.5V时,基准电流仅变化了3.62nA,温漂系数是11.09ppm/℃。RC振荡器输出中心频率为4.717MHz,占空比为50%,误差小于0.94%,功耗为0.25mW。

关 键 词：CMOS工艺 基准电流源 RC振荡器 求和 共源共栅电流镜 温度范围 充放电电流 传感器芯片 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]