李观启

作品数：39被引量：38H指数：4
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发文主题：MOSFET跨导轰击氧化膜湿敏特性更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《应用光学》《微电子学》《半导体技术》《华南理工大学学报（自然科学版）》更多>>
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BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究被引量：4
《压电与声光》2006年第2期161-163,共3页刘玉荣 李观启 
利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,...
关键词：BST薄膜 薄膜电容器 调谐特性 退火处理 
硅衬底Ba_(1-x)Sr_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜光敏特性的研究被引量：2
《应用光学》2005年第5期45-49,共5页宋清 黄美浅 李观启 
利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45nm的钛铌酸锶钡(Ba1-xSrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器。测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下...
关键词：钛铌酸锶钡薄膜 光敏特性 吸收光谱 频率特性 薄膜电阻器 硅衬底 铌酸锶钡 SiO2 光照特性 禁带宽度 
不同沟道长度对n沟MOSFET退化特性的影响被引量：1
《微电子学》2005年第5期449-452,共4页黄美浅 朱炜玲 章晓文 陈平 李观启 
研究不同沟道长度n沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响。实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1 mm时更是如此。这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释。
关键词：MOS场效应晶体管 热载流子效应 阈值电压 跨导 退化特性 
利用背面Ar^+轰击改善n-MOSFET饱和区特性
《华南理工大学学报（自然科学版）》2005年第2期70-74,共5页陈平 黄美浅 李旭 李观启 
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率...
关键词：背面Ar^+轰击 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 跨导 阈值电压 噪声 
结构参数对Ba_(1-x)La_xTiO_3多功能传感器敏感特性的影响
《固体电子学研究与进展》2005年第1期138-141,共4页李斌 李观启 黄美浅 刘玉荣 陈平 
对三种二氧化硅层厚度 (1 0 nm、2 5 nm、40 nm)的器件进行测试 ,研究二氧化硅层的厚度对 Ba1 - x Lax Ti O3多功能传感器敏感特性的影响。结果表明 ,对于 MIS电容传感器 ,氧化层越薄 ,湿敏灵敏度越高 ,湿滞越小 ;相反 ,对于薄膜电阻传...
关键词：钛酸镧钡薄膜 湿敏 光敏 
氧气氛退火对BST薄膜电阻热敏特性的影响
《电子元件与材料》2004年第12期51-53,共3页刘玉荣 李观启 罗坚 李斌 黄美浅 
利用氩离子束镀膜技术在 SiO2/Si 衬底上淀积 BST 薄膜,研究了氧气氛下退火对 BST 薄膜热敏特性的影响。结果表明,当退火温度不太高时(≤600℃),薄膜热敏特性随退火温度升高而变差;但当退火温度较高时(>600℃),薄膜热敏特性随退火温度...
关键词：无机非金属材料 BST薄膜 NTC热敏电阻 热敏特性 退火处理 
薄膜厚度对钛酸钡类薄膜传感器敏感特性的影响被引量：1
《电子元件与材料》2004年第10期30-32,共3页李斌 李观启 黄美浅 刘玉荣 陈平 
利用氩离子束溅射技术,分别在SiO2/Si衬底上淀积了0.5 mm、1 mm和2 mm的Ba1-xLaxNbyTi1–yO3薄膜,并探讨了薄膜厚度对MIS电容湿敏特性的影响以及薄膜厚度对薄膜电阻的光敏和热敏特性的影响。实验结果表明:0.5 mm膜厚的MIS电容传感器具有...
关键词：电子技术 钛酸钡薄膜 湿敏 光敏 热敏 薄膜厚度 
氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响
《华南理工大学学报（自然科学版）》2004年第8期13-17,共5页陈平 黄美浅 李斌 李观启 
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目 ;华南理工大学自然科学基金资助项目
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电...
关键词：Ba1-xSrxTiO3薄膜 电荷存储特性 MIOS结构 退火 氧空位 陷阱 
氧退火对SiO_2/Si衬底BST薄膜特性的影响
《固体电子学研究与进展》2004年第3期396-401,共6页陈平 黄美浅 李观启 李斌 陈蒲生 
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目;华南理工大学自然科学基金资助项目
利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。结果表明 ,氧退火条件对衬底的...
关键词：钛酸锶钡薄膜 物理特性 电学特性 介电常数 电荷存储 
氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响被引量：1
《电子元件与材料》2004年第3期37-38,42,共3页陈平 黄美浅 李斌 李观启 
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目;华南理工大学自然科学基金资助项目
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响。实验结果表明,在退火温度为600℃时,随着氧退火时间的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常...
关键词：MIOS结构 C-V特性 介电常教 退火 
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