薄膜电阻器

作品数：32被引量：29H指数：3
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精密薄膜电阻材料研究进展
《微纳电子技术》2025年第3期68-73,共6页王攀龙 崔光宇 田广科 
国家自然科学基金(52322022)。
精密薄膜电阻材料是制作高精度薄膜电阻元件的关键材料,衡量其性能的关键技术指标是薄膜阻值精度和电阻率温度系数(TCR)绝对值。从不同薄膜材料的TCR入手,重点综述了近10年来国内外在精密薄膜电阻材料方面的研究进展,指出了目前存在的...
关键词：精密薄膜电阻器 电阻率 电阻率温度系数(TCR) 微电子技术 磁控溅射 
压力传感器温度补偿薄膜电阻器手工焊接失效分析
《传感器世界》2024年第4期11-13,27,共4页林昕怡 周富强 赵彦龙 高德亮 
压力传感器主要有应变式、谐振式和硅压阻式(MEMS)等类型。航空发动机主要以硅压阻式为主,硅压阻式压力传感器受温度影响非常大,一般不能直接使用,需要串并联温度补偿电阻进行温度补偿后才能使用。模拟焊接出现电阻焊接后浮高、偏移不良...
关键词：薄膜电阻器 手工焊接 失效分析 
高温高湿环境下镍铬合金薄膜电阻器失效分析被引量：3
《集成技术》2022年第5期88-98,共11页蔡亚丽 刘丽霞 戴文斌 俞亮 岳文锋 张冲 郭全胜 贾婷婷 于淑会 
广东省基础与应用基础研究基金项目(2020B1515120019);深圳科学技术创新委员会项目(KQTD20170810160424889)。
在85℃和85%相对湿度的环境下,对镍铬(Ni-Cr)合金薄膜电阻器进行带载老化试验(“双85”老化试验),测试其老化试验3 000 h后的可靠性。测试结果显示,在“双85”老化试验环境下,薄膜电阻器进行老化试验后,表现出两种失效模式:阻值漂移和...
关键词：NI-CR合金 薄膜电阻器 “双85”老化试验 失效模式 
退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响被引量：6
《广州化工》2018年第14期39-42,共4页杨俊锋 丁明建 冯毅龙 赖辉信 庄严 
广州市珠江科技新星项目(201610010049)
通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N...
关键词：电阻器 薄膜 热处理 氮化钽 
为您的设计选择正确的精密薄膜电阻器
《今日电子》2018年第Z1期51-52,共2页KORY SCHROEDER 
<正>薄膜材料和沉积技术的进步已经为市场提供了价格合理的精密电阻器,并允许其用于广泛的应用和终端产品中。更具体地说,独特的材料和设计已经产生了具有更高的额定功率、更低的公差和TCR值,以及耐潮湿性的精密芯片电阻——所有这些都...
为您的设计选择正确的精密薄膜电阻器
《今日电子》2018年第1期51-52,共2页KORY SCHROEDER 
薄膜材料和沉积技术的进步已经为市场提供了价格合理的精密电阻器，并允许其用于广泛的应用和终端产品中。
关键词：薄膜电阻器 设计 沉积技术 薄膜材料 终端产品 
风华高科车规薄膜电阻器获得AEC-Q200认证
《电子质量》2017年第9期51-51,共1页
近期，风华高科下属端华分公司继2016年推出车规厚膜片式固定电阻器后，2017年最新研发推出的车规薄膜片式闭定电阻器，成功通过汽车电子工业标准AEC—Q200第三方试验认证。本次认证成功，标志着风华高科车规片阻产品系列更加完备，为...
关键词：薄膜电阻器 认证 厚膜片式 汽车电子 工业标准 电子市场 第三方 AEC 
AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究
《压电与声光》2016年第6期920-922,共3页赵祖静 张怀武 唐晓莉 
国家自然科学基金资助项目(50972023)
利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm^2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基...
关键词：磁控溅射 镍锌铁氧体基片 AlN薄膜缓冲层 TaN薄膜电阻器 功率密度 
CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究被引量：1
《压电与声光》2015年第3期460-463,共4页黄子宽 张怀武 唐晓莉 
国家自然科学基金资助项目(50972023)
采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得...
关键词：镍锌铁氧体基片 TaN薄膜电阻器 CAS玻璃釉 功率 
被釉BeO基片薄膜电阻器的设计和制备
《压电与声光》2015年第3期540-542,共3页张鹏 杨传仁 曾理 陈宏伟 杨俊峰 张继华 
广东省教育部产学研结合基金资助项目(2012B091000059)
基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻...
关键词：薄膜电阻器 TaN薄膜 玻璃釉 BeO陶瓷基片 射频磁控溅射 
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