陈蒲生

作品数：41被引量：54H指数：4
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供职机构：华南理工大学理学院应用物理系更多>>
发文主题：SIOXN介质膜热氮化PECVD法更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程自然科学总论更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《华南理工大学学报（自然科学版）》更多>>
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光电耦合器的结构设计及封装胶特性分析被引量：5
《固体电子学研究与进展》2005年第3期340-343,397,共5页田浦延 陈蒲生 
研究了光电耦合器的结构设计,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了重要参数CTR和BV随绝缘距离的变化以及BV与封装尺寸的关系。分析了用于不同光传输结构光耦的内外封装胶特性,对几种不同的封装胶通过光谱测试实验讨论其成分与特性。
关键词：光电耦合器 电流传输比 绝缘电压 绝缘距离 发光二极管 封装胶 
低温PECVD法形成纳米级介质膜微观结构研究
《固体电子学研究与进展》2004年第3期381-385,共5页陈蒲生 陈闽捷 张昊 刘小阳 王锋 
广东省自然科学基金资助项目课题 (编号 :95 0 1 86)
采用俄歇电子能谱 ( AES)和傅里叶红外光谱 ( FTIR)分析低温 PECVD法形成纳米级 Si Ox Ny 介质膜的微观组分结构及其与制膜工艺间关系 ,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。研究结果表明 :该介质膜中氮、氧等元素均匀分布 ,界...
关键词：介质膜 俄歇电子能谱 傅里叶红外光谱 微观组分结构 电学性能 
氧退火对SiO_2/Si衬底BST薄膜特性的影响
《固体电子学研究与进展》2004年第3期396-401,共6页陈平 黄美浅 李观启 李斌 陈蒲生 
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目;华南理工大学自然科学基金资助项目
利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。结果表明 ,氧退火条件对衬底的...
关键词：钛酸锶钡薄膜 物理特性 电学特性 介电常数 电荷存储 
PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
《半导体技术》2004年第1期51-55,共5页陈蒲生 陈闽捷 张昊 
广东省自然科学基金资助课题(编号950186)
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密...
关键词：PECVD 纳米级薄膜 界面陷阱 雪崩热电子注入 SiOxNy界面 
从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性
《华南理工大学学报（自然科学版）》2003年第10期51-54,共4页冯文修 张恒 陈蒲生 田浦延 
用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果...
关键词：快速热氮化 超薄SiO2膜 电流传输特性 
光电耦合器的结构设计及封装特点被引量：12
《半导体技术》2002年第11期55-57,66,共4页田浦延 布良基 陈蒲生 冯文修 
对光电耦合器的结构设计进行了研究,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了各自对应的支架结构和封装形式。同时研究了电流传输比(CTR)和绝缘电压(BV)随绝缘距离的影响关系,以及BV与封装尺寸的影响关系。
关键词：光电耦合器 结构设计 封装 电流传输比 绝缘距离 发光二极管 封装胶 
光电耦合器的封装胶特性分析被引量：3
《华南理工大学学报（自然科学版）》2002年第9期54-57,共4页田浦延 陈蒲生 布良基 冯文修 
讨论了用于不同光传输结构光耦的各种内外封装胶的特性 ,对几种不同的封装胶进行了光谱测试实验 ,并通过实验数据对胶进行成分分析和特性分析 。
关键词：特性分析 隔离电压 二氧化硅 氧化钛 电流传输比 光电耦合器 封装胶 成分分析 
PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱的物理模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2002年第4期458-462,共5页陈蒲生 张昊 冯文修 章晓文 刘小阳 曾绍鸿 
广东省自然科学基金资助课题 (编号 95 0 186)
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长 ,界面上产生的这种陷阱将起主导作...
关键词：界面陷阱 物理模型 雪崩 热电子注入 等离子体增强化学气相淀积 薄膜 
PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析被引量：2
《半导体技术》2002年第7期73-76,共4页陈蒲生 张昊 冯文修 刘剑 刘小阳 王锋 
广东省自然科学基金资助项目
采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。
关键词：PECVD法 SiOxNy薄介质膜 俄歇电子能谱 红外吸收光谱 微观组分 电学性能 
电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1411-1415,共5页冯文修 陈蒲生 田浦延 刘剑 
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 ...
关键词：电子隧穿 快速热氮化 晶向硅 薄膜 二氧化碳 模型解释 
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