PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析  

Analysis of Auger electron spectrum and infrared absorption spectra of the SiO_xN_y thin dielectric film formed by low temperature PECVD

作　　者：陈蒲生[1] 张昊[2] 冯文修[1] 刘剑[1] 刘小阳[3] 王锋 

机构地区：[1]华南理工大学应用物理系,广东广州510640 [2]信息产业部电子五所数据中心,广东广州510610 [3]华南理工大学机电工程系,广东广州510641 [4]广东省电子技术学校,广东广州510511

出　　处：《半导体技术》2002年第7期73-76,共4页Semiconductor Technology

基　　金：广东省自然科学基金资助项目

摘　　要：采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。The microscopical composition and relationship in the composition to fabricated filmprocess of SiOxNy thin dielectric film formed by low temperature PECVD were analysed with AESand infrared absorption spectra. The physical and optical properties of the thin film were measuredby ellipsometer.

关 键 词：PECVD法 SiOxNy薄介质膜 俄歇电子能谱 红外吸收光谱 微观组分 电学性能 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理] TN304.055[理学—物理]