电流传输特性

作品数：5被引量：1H指数：1
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退火时间对溶液法制备Tips-Pentacene电流传输特性的影响被引量：1
《液晶与显示》2014年第2期219-223,共5页滕支刚 冷华星 张玲珑 钟传杰 
国家自然科学基金(No.60776056)
通过测量p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响。实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而...
关键词：Tips-Pentacene 空间电荷限制电流 退火时间 溶剂残留 
从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性
《华南理工大学学报（自然科学版）》2003年第10期51-54,共4页冯文修 张恒 陈蒲生 田浦延 
用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果...
关键词：快速热氮化 超薄SiO2膜 电流传输特性 
用MgCl_2、NaCl、KCl和MgB_2O_4熔融混合物电解法合成MgB_2块材的电流传输特性
《稀有金属快报》2003年第2期4-4,共1页
关键词：MgB2块材 合成 电流传输特性 熔融混合物电解法 超导体 
电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
《华南理工大学学报（自然科学版）》2001年第3期13-17,共5页冯文修 田浦延 陈蒲生 刘剑 
广东省自然科学基金资助项目! (95 0 186 )&&
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没...
关键词：电子隧穿 快速热氮化 晶向硅 超薄二氧化硅膜 遂穿电流 电流传输特性 
（Pb0.5Cd0.5）（La2—xSrx）CuO5—δ的磁特性和电传输特性
《稀有金属快报》1997年第12期14-15,共2页汪京荣 
关键词：高温超导材料 磁特性 电流传输特性 
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