一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法  

A Rapid Extraction Method of SOI Device Model Parameters Based on the Total Ionizing Dose Radiation Effect

作　　者：李艳艳[1] 顾祥[1] 潘滨[1] 朱少立[1] 吴建伟 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035

出　　处：《电子与封装》2015年第5期36-40,共5页Electronics & Packaging

摘　　要：从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结果表明,该方法所提取的模型参数准确有效,解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型(如BSIMSOI等)导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点,可用于评估辐射对SOI电路的影响。Introduced a simple extraction method of the SOI device model parameter, which is based on the total ionizing dose radiation effect （TID） . Firstly, extracted the device model parameters before the radiation. After that, the model parameters, which are sensitive to the TID, were optimized for the same device after 100 krad （Si） radiation. Finally, we verified the optimized model parameters. The result indicated that the method could be exactly and effectively extracted the model parameters to assess the influence of the total ionizing dose radiation effect on the SOI circuit.

关 键 词：SOI器件 SPICE模型参数 总剂量效应 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]