杜川华

作品数：18被引量：39H指数：4
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供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文主题：反熔丝Γ剂量率性能研究微控制器电离辐照更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
发文期刊：《核电子学与探测技术》《强激光与粒子束》《太赫兹科学与电子信息学报》《吉林大学学报（理学版）》更多>>
所获基金：国防科技工业技术基础科研项目中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>
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SOI晶体管和电路的瞬时电离辐射效应研究
《核技术》2024年第4期66-72,共7页杜川华 段丙皇 熊涔 曾超 
国家自然科学青年基金(No.12005200)资助。
基于全介质隔离的绝缘硅(Silicon-on-insulator,SOI)器件与体硅器件的瞬时电离辐射效应存在差异,采用1 064 nm/12 ns激光装置开展了三种SOI晶体管的激光辐照试验,测试了不同激光能量下的晶体管光电流;采用脉冲γ射线辐射源开展了SOI集...
关键词：SOI晶体管 微控制器 瞬时电离辐射效应 光电流 
微处理器中子单粒子效应测试系统设计与试验研究被引量：6
《原子能科学技术》2022年第4期734-741,共8页段丙皇 杜川华 朱小锋 李悦 陈泉佑 
国家自然科学基金(12005200,11705172)。
为开展微处理器的空间大气中子单粒子效应研究,以一款TI公司65 nm CMOS工艺的微处理器为研究对象,研制了一套微处理器中子单粒子效应测试系统。该测试系统可实现对被测微处理器的单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子闩锁效应的实时监测...
关键词：微处理器 中子单粒子效应 14 MeV中子 测试系统 
γ射线测距中散射光子影响因素的蒙特卡罗模拟被引量：1
《原子能科学技术》2021年第8期1472-1477,共6页刘珉强 李晨 杜川华 许献国 朱小锋 赵洪超 段丙皇 
国防预研重点项目;国防创新特区项目。
基于散射光子的γ射线测距技术,具有测距精度高、响应速度快、可靠性高、体积小、重量轻等特点,适用于在苛刻空间环境中实现近距离高精度的高度测量。本文采用蒙特卡罗程序MCNP建立模型,模拟不同条件下散射光子的能量、强度的变化规律,...
关键词：蒙特卡罗模拟 γ射线测距 反散射峰 光子能量 光子强度 
微机电系统加速度计辐射效应
《太赫兹科学与电子信息学报》2021年第1期162-165,169,共5页刘珉强 杜川华 许蔚 朱小锋 许献国 
国家级预先研究基金资助项目(6140A24020105,6140A24030311)。
综述了微机电系统(MEMS)加速度计辐照效应与辐照机理国内外现状,阐释了其加固技术研究的必要性。介绍了不同类型MEMS加速度计的辐射敏感性及材料的辐射退化机理、不同材料的辐射损伤表现及硅材料的辐射效应;重点分析了MEMS加速度计国内...
关键词：微机电系统加速度计 辐射效应 辐射加固 
瞬时剂量率效应激光模拟测试技术被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2020年第6期1157-1161,共5页倪涛 杜川华 曾传滨 高林春 王娟娟 高见头 赵发展 罗家俊 
瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术,以1064 nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统。利用此系统开展了不同工艺节点、不...
关键词：剂量率效应 激光模拟 体硅器件 SOI器件 
新型3D合金屏蔽效能的MCNP模拟被引量：3
《吉林大学学报（理学版）》2020年第4期988-991,共4页刘珉强 朱小锋 杜川华 
装备预研领域基金(批准号:6140A24030311,6140A24020105).
用Monte Carlo程序(MCNP)模拟研究不同掺杂组分与不同掺杂质量分数合金对低能X射线谱的屏蔽效能.模拟结果表明:合金的屏蔽效能与掺杂组分原子序数呈正相关,与掺杂质量分数呈正相关(ΔZ>0)或负相关(ΔZ<0);ΔZ绝对值越大,合金的屏蔽效能...
关键词：Monte Carlo模拟 低能X射线谱 屏蔽效能 掺杂质量分数 掺杂组分原子序数 
自然γ测井中MC法模拟探测器探测深度被引量：1
《核电子学与探测技术》2020年第1期167-173,共7页刘珉强 杜川华 赵洪超 汪宏年 
装备预研领域基金(6140A24020105,6140A24010301);中国科学院战略性先导科技专项(XDA14020102)资助。
采用MCNP模拟计算了不同γ射线能量或矿层密度下探测器的探测深度,研究γ射线能量或矿层密度的变化对探测器探测深度的影响.模拟结果表明:探测器探测深度与γ射线能量成正比,与矿层密度成反比;当矿层厚度小于探测器探测深度时,采取放射...
关键词：MCNP 探测器探测深度 γ射线强度 矿层厚度 γ射线能量 矿层密度 
瞬态闭锁试验在0.13μm大规模集成电路中引起的潜在损伤被引量：4
《原子能科学技术》2019年第12期2498-2503,共6页杜川华 赵洪超 邓燕 
国家自然科学基金重点项目资助(11835006)
瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总...
关键词：处理器 剂量率 电离总剂量 闭锁 潜在损伤 
γ能谱Compton抑制的MCNP模拟被引量：3
《吉林大学学报（理学版）》2019年第4期947-950,共4页刘珉强 杜川华 马玉刚 
装备预研领域基金(批准号:6140A24020105;6140A24030311)
用MonteCarlo程序(MCNP)模拟主探头外包NaI(Tl)晶体构成阱型反Compton谱仪的输出谱.通过调整FU卡参数,实现对外探测器中脉冲高度的筛选,给出反Compton抑制谱和Compton电子谱,验证MCNP的FU卡在反符合测量中的使用方法,并分析外探测器厚...
关键词：MONTECARLO模拟 Compton抑制 外探测器厚度 
宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法研究被引量：2
《核电子学与探测技术》2017年第7期726-733,共8页杜川华 周开明 熊涔 
中物院发展基金"体硅及SOI器件的瞬时剂量率辐射效应建模方法研究";2015B0403086
借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一...
关键词：剂量率 瞬时电离辐射 运算放大器 电路仿真 器件模型 瞬态光电流 
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