赵洪超

作品数：11被引量：17H指数：3
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供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文主题：反熔丝Γ剂量率性能研究剂量率中子辐照更多>>
发文领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《强激光与粒子束》《数值计算与计算机应用》《核电子学与探测技术》《原子能科学技术》更多>>
所获基金：国防科技工业技术基础科研项目国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>
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AlGaN/GaN HEMTs器件中子辐照效应实验和数值模拟研究被引量：1
《现代应用物理》2023年第1期164-172,199,共10页陈泉佑 赵景涛 朱小锋 许献国 熊涔 赵洪超 
国家自然科学基金资助项目(11705172;61701461)。
以定制硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)和碳化硅(SiC)衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)为研究对象,在CFBR-II(China Fast Burst Reactor-II)快中子脉冲堆开展了中子辐照注量范围为10^(13)~10^(15) c...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 中子辐照 实验 数值模拟 陷阱 
γ射线测距中散射光子影响因素的蒙特卡罗模拟被引量：1
《原子能科学技术》2021年第8期1472-1477,共6页刘珉强 李晨 杜川华 许献国 朱小锋 赵洪超 段丙皇 
国防预研重点项目;国防创新特区项目。
基于散射光子的γ射线测距技术,具有测距精度高、响应速度快、可靠性高、体积小、重量轻等特点,适用于在苛刻空间环境中实现近距离高精度的高度测量。本文采用蒙特卡罗程序MCNP建立模型,模拟不同条件下散射光子的能量、强度的变化规律,...
关键词：蒙特卡罗模拟 γ射线测距 反散射峰 光子能量 光子强度 
硅基三极管脉冲中子辐射效应TCAD仿真被引量：1
《数值计算与计算机应用》2020年第2期159-168,共10页段丙皇 熊涔 陈泉佑 赵洪超 
中物院培育基金(PY20200054);装备预研基金(24010301)资助。
本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过...
关键词：硅基三极管 2N2222 脉冲中子辐射 位移损伤 TCAD仿真 
自然γ测井中MC法模拟探测器探测深度被引量：1
《核电子学与探测技术》2020年第1期167-173,共7页刘珉强 杜川华 赵洪超 汪宏年 
装备预研领域基金(6140A24020105,6140A24010301);中国科学院战略性先导科技专项(XDA14020102)资助。
采用MCNP模拟计算了不同γ射线能量或矿层密度下探测器的探测深度,研究γ射线能量或矿层密度的变化对探测器探测深度的影响.模拟结果表明:探测器探测深度与γ射线能量成正比,与矿层密度成反比;当矿层厚度小于探测器探测深度时,采取放射...
关键词：MCNP 探测器探测深度 γ射线强度 矿层厚度 γ射线能量 矿层密度 
瞬态闭锁试验在0.13μm大规模集成电路中引起的潜在损伤被引量：4
《原子能科学技术》2019年第12期2498-2503,共6页杜川华 赵洪超 邓燕 
国家自然科学基金重点项目资助(11835006)
瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总...
关键词：处理器 剂量率 电离总剂量 闭锁 潜在损伤 
可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究被引量：4
《核电子学与探测技术》2014年第3期369-374,共6页杜川华 许献国 赵海霖 赵洪超 
概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明:32位微控...
关键词：可编程器件 瞬时电离辐射效应 32位微控制器 反熔丝FPGA 
ONO反熔丝结构的电离辐照性能研究被引量：1
《核电子学与探测技术》2010年第3期339-341,353,共4页杜川华 詹峻岭 赵洪超 朱小锋 
国防科技基础研究基金资助课题
描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子-空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功能失效阈值。理论分...
关键词：ONO反熔丝 电离辐照 FPGA 电子-空穴对 
反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨被引量：1
《信息与电子工程》2010年第1期84-86,95,共4页赵洪超 朱小锋 杜川华 
FPGA系统电路进行抗γ剂量率器件选择是非常困难的。针对FPGA器件抗γ剂量率性能优选,试验研究了3种反熔丝FPGA器件的γ剂量率辐照效应规律。全部样品均出现了低阈值γ剂量率扰动效应,但均未产生高γ剂量率闭锁效应。FPGA器件低阈值γ...
关键词：反熔丝FPGA Γ剂量率 辐照试验 抗辐射加固 
γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响被引量：5
《强激光与粒子束》2009年第10期1539-1541,共3页朱小锋 赵洪超 周开明 
国防科技基础研究基金项目
采用了2种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为20，50，150ns，剂量率为10^6～10^6Gy（Si）·s^-1下，对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉冲宽...
关键词：脉冲宽度 辐射效应 剂量率 辐射存储时间 
计算X射线通量的几种方法的比较被引量：1
《核电子学与探测技术》2009年第4期849-852,886,共5页杜川华 许献国 赵洪超 
综述了目前计算X射线在材料中通量的几种方法:利用质量衰减系数直接计算的理论方程和描述粒子运动统计规律的蒙特卡罗方法。分别采用理论方程、蒙特卡罗软件MCNP4C和EGSnrc三种途径计算了黑体谱X射线穿过几种常用复合材料的透射率和透射...
关键词：X射线 蒙特卡罗 MCNP4C EGSnrc透射率 透射谱 
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