韩国电子通信研究院开发出3kV级氧化外延层和器件技术  

出　　处：《变频器世界》2024年第7期44-45,共2页The World of Inverters

摘　　要：在韩国文化体育观光部的支持下,韩国政府资助的非营利性电子通信研究院(ETRI)与韩国陶瓷工程技术研究所(KICET)合作,开发出了氧化镓(Ga_(2)O_(3))功率半导体的核心材料和器件工艺技术,即韩国开发的首款3kV级氧化功率半导体金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件。

关 键 词：功率半导体 电子通信 器件工艺 外延层 器件技术 氧化镓 工程技术研究所 核心材料 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]