电容—电压测试在TiO_2压敏材料晶界势垒研究中的应用  

Capacitance-voltage measurement of grain-boundary barrier in TiO2 varistors

作　　者：张永强[1] 苏文斌[2] 程杰[1] 

机构地区：[1]济宁学院物理系,山东济宁273155 [2]山东大学物理与微电子学院,山东济南250100

出　　处：《枣庄学院学报》2007年第2期11-13,共3页Journal of Zaozhuang University

摘　　要：通过电容—电压(C-V)测试,测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数,测试结果显示99.75mol%TiO2+0.25 mol%WO3的样品势垒高度为0.51 eV,施主浓度Nd为1.62×1025/m3.类比ZnO压敏材料,本文认为晶界处吸附的O-、O2-是形成晶界势垒的主要原因.The grain - boundary barriers in TiO2WO3 varistor systems were investigated by Capacitance - voltage （ C - V） measurement. For 99.75mol% TiO2 ＋ 0. 25 mol% WO3 varistor system, the barrier parameters were obtained by C - V experiment： Ф =0.51eV, Nd = 1.62 - 10^25/m^3. Analogized with ZnO varistors, the O^- and O^2- was considered to be responsible for the grain - boundary barriers.

关 键 词：C-V测试 压敏 晶界势垒 

分 类 号：O48[理学—固体物理]