苏丽娟

作品数：3被引量：10H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：阳极氧化铝RIE硅SI感应耦合等离子体更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
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高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现被引量：2
《半导体技术》2013年第7期536-539,共4页苏延芬 苏丽娟 胡顺欣 邓建国 
分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧...
关键词：微波高密度等离子体(HDP) 纵横向刻蚀选择比 等离子体损伤 聚合物清洗 终点检测(EPD) 
双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术被引量：5
《微纳电子技术》2008年第8期480-483,共4页邓建国 刘英坤 段雪 苏丽娟 
提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双...
关键词：感应耦合等离子体 “Bosch”工艺 硅 双层侧壁保护 各向异性刻蚀 
多层难熔金属的刻蚀工艺技术研究被引量：3
《真空科学与技术学报》2005年第6期463-466,470,共5页段雪 邓建国 刘英坤 王书明 苏丽娟 韩东 林率兵 
分析了用反应离子刻蚀(RIE)系统刻蚀多层难熔金属的可行性。研究了用下电极表层为阳极氧化铝的RIE完整刻蚀Au/Pt/TiW/Ti四层金属时氧化铝在Ar/SF6和Ar/CF4等离子体中对聚合作用的影响。通过实验发现,下电极表面的氧化铝经氩离子溅射会...
关键词：RIE 多层难熔金属 阳极氧化铝 聚合作用 
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