EEPROM电路中的等离子体损伤分析  

Analysis of Plasma Damage-induced EEPROM Failures

作　　者：肖纯烨 徐政 

机构地区：[1]无锡中微晶园电子有限公司,江苏无锡214035

出　　处：《电子与封装》2007年第9期26-29,共4页Electronics & Packaging

摘　　要：文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。分析结论得出金属腐蚀工艺中存在的天线效应和电子阴影效应对隧道氧化层质量有决定性影响。Plasma damage-induced EEPROM failures have been investigated The reason in fabricate process have been analysed from tunnel oxide, device structure, PECVD, plasma etch. It is illustrated that the antenna effect and electronic shadow effect in metal etch process is crucial to the quality of the tunnel oxide.

关 键 词：隧道氧化层 等离子体损伤 金属腐蚀 

分 类 号：TN705[电子电信—电路与系统]