高耐压氧化镓射频场效应晶体管  

High Voltage Gallium Oxide Radio Frequency Field-effect Transistors

作　　者：郁鑫鑫[1] 周建军[2] 李忠辉[1,2] 陶然[1] 吴云 张凯[2] 孔月婵[2] 陈堂胜[2] YU Xinxin;ZHOU Jianjun;LI Zhonghui;TAO Ran;WU Yun;ZHANG Kai;KONG Yuechan;CHEN Tangsheng(CETC Key Laboratory of Carbon based Electronics,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN;National Key Laboratory of Solid-state Microwave Devices and Circuits,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,中国电子科技集团公司碳基电子重点实验室,南京210016 [2]南京电子器件研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2023年第5期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：超宽禁带氧化镓是发展新型大功率电力电子和射频器件的新一代先进战略性电子材料。近年来,得益于单晶衬底制备及n型掺杂技术的进步,氧化镓在电力电子器件领域取得了突破性的进展,然而氧化镓体掺杂沟道较厚,亚微米以下栅长器件短沟道效应严重,频率性能受限。南京电子器件研究所联合南京大学、上海微系统所、天津电子材料研究所,突破了氧化镓上低能离子注入沟道技术,实现了高浓度的类二维电子气超薄导电沟道,研制出高击穿电压的氧化镓射频场效应晶体管[1]。

关 键 词：场效应晶体管 二维电子气 氧化镓 电力电子器件 短沟道效应 击穿电压 射频器件 宽禁带 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]