场助式GaSb光电阴极GaSb/GaAs异质结设计仿真  

作　　者：蔡宸 

机构地区：[1]长春理工大学理学院

出　　处：《电子世界》2018年第11期174-174,176,共2页Electronics World

摘　　要：针对一种吸收层和发射层分离式结构的GaSb光电阴极,通过渐变函数描述异质结势垒能带结构,研究了外加偏压对异质结能带结构和GaSb光电阴极光电发射的影响,在以发射层掺杂浓度1×1016cm-3、吸收层掺杂浓度1×1017cm-3、发射层厚度0.5μm的条件下,外加偏压达到10V才能有效地减少异质结势垒对光电子输运的不利影响。

关 键 词：GASB 光电阴极 表面光电压谱 少子扩散长度 

分 类 号：TN203[电子电信—物理电子学]