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GAINNAS: 作品数：21被引量：13H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：杨晓红吴荣汉杜云韩勤彭红玲更多>>; 相关机构：中国科学院中山德华芯片技术有限公司北京工业大学北京邮电大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《光子学报》《半导体信息》《半导体光电》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金更多>>

Photoelectric Property Improvement of 1.0-eV GaInNAs and Applications in Lattice-Matched Five-Junction Solar Cells: 《Chinese Physics Letters》2018年第7期134-138,共5页陈丙振张杨王青王智勇; GaInNAs with bandgap 1.0 eV is a promising material for multi-junction solar cell applications. However, the poor quality of GaInNAs grown by metalorganic chemical vapor deposition hinders its device performance. Here...

激发功率对GaInNAs单量子阱材料的光致发光的影响: 《电子测试》2018年第8期42-43,48,共3页莫敏.赛来奥布力喀斯木.祖农普拉提.艾合买提; 国家自然科学基金项目(11364041); Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温(T=10K)光致...; 关键词：化合物半导体希氮光致发光载流子浓度激子复合束缚态

高效GaAs基系Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池的研究进展被引量：1: 《半导体技术》2017年第2期81-90,共10页高慧杨瑞霞; 河北省自然科学基金资助项目(2014202184);河北省研究生创新资助项目(220056); GaAs基系Ⅲ-V族化合物太阳电池具有带隙最优、抗辐射能力强、高效率、高温稳定性好和机械强度高等优点,是目前高效太阳电池的研发重点。从异质结设计、多结结构设计、晶格匹配优化、光谱-能带匹配设计、掺N半导体材料及半导体键合工艺...; 关键词：GAAS太阳电池 GAINNAS 反向失配正向失配半导体键合

GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge Four-Junction Solar Cell Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition with High Efficiency: 《Chinese Physics Letters》2016年第10期167-171,共5页张杨王青张小宾刘振奇陈丙振黄珊珊彭娜王智勇; We directly grow a lattice matched GalnP/GalnAs/GalnNAs/Ge （1.88 eVil .42 eVil .05 eV/0.67eV） four-junction （4J） solar cell on a Ge substrate by the metal organic chemical vapor deposition technology. To solve the...; 关键词：by on it of GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge Four-Junction Solar Cell Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition with High Efficiency is THAN Ge GaAs with cell that

砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8): 《太阳能》2016年第1期10-11,共2页向贤碧廖显伯; 4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难，这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道，他们制备了高...; 关键词：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池 GaInP/GaAs 砷化镓应用 GAINNAS 讲座晶格匹配

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6): 《太阳能》2015年第11期14-15,共2页向贤碧廖显伯; 1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带...; 关键词：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池化合物半导体材料砷化镓应用 GAINNAS 讲座少子扩散长度

GaAs基GaInNAs太阳电池研究进展: 《半导体光电》2013年第6期913-919,共7页李景灵高芳亮李国强; 国家"973"计划项目; 在研究新型高效GaAs基三结和四结太阳电池过程中,研究者努力寻找一种既满足能隙约为1eV,同时又与GaAs衬底晶格匹配的半导体材料。通过调节组分,GaInNAs可同时满足上述两个特性,因此GaInNAs被认为是制备新型高效多结GaAs基太阳电池的理...; 关键词：GAAS GAINNAS 太阳电池

GaInNAs半导体盘形激光器作为Tm^(3+)(Ho^(3+))掺杂玻璃、晶体和纤维激光器的泵浦源: 《光机电信息》2009年第12期1-6,共6页苏法刚; 本文报道了首次应用半导体盘形激光器(SDL)在~2μm发光的Tm3+(Ho3+)掺杂介质激光器中作为泵浦源。~1213nm GaInNAs/GaAsSDL可产生功率>1W的连续波(CW)输出,最大功率转换净斜率效率为18.5%,全宽度半峰值波长调节范围~24nm。在1213nm SDL...; 关键词：GaInNAs/GaAs 盘形激光器纤维激光器掺杂玻璃泵浦源半导体最大输出功率 TM^3+

GaInNAs半导体激光器的开发被引量：2: 《半导体信息》2007年第1期18-18,共1页孙再吉; 关键词：半导体激光器 GAINNAS 激光器件阈值电流光通信网络有源层日立制作所中央研究所射频模块

日立开发出新一代40Gbps半导体激光器: 《光机电信息》2006年第11期59-59,共1页; 日立公司早在1995年就提出活性层使用GaInNAs的想法．此次成果确立了适于GaInNAs结晶成长的新技术．由此实现了在40Gbps下稳定工作的目标。具体地说，就是削除了混入GaInNAs中的Al。过去的GaInNAs半导体激光器在包层中一般使用Al-GaAs...; 关键词：半导体激光器日立公司 GAINNAS 开发稳定工作活性层 AL 混入

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