日立开发出新一代40Gbps半导体激光器  

出　　处：《光机电信息》2006年第11期59-59,共1页OME Information

摘　　要：日立公司早在1995年就提出活性层使用GaInNAs的想法．此次成果确立了适于GaInNAs结晶成长的新技术．由此实现了在40Gbps下稳定工作的目标。具体地说，就是削除了混入GaInNAs中的Al。过去的GaInNAs半导体激光器在包层中一般使用Al-GaAs．所以GaInNAs活性层中因混入Al而降低了特性。

关 键 词：半导体激光器 日立公司 GAINNAS 开发 稳定工作 活性层 AL 混入 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]