偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用  

Voltage dependent quantum efficiency measurement in property study of thin film solar cells

作　　者：黄志鹏[1,2] 赵守仁[2,3] 孙雷[2,3] 孙朋超 张传军[3] 邬云华 曹鸿 王善力 胡志高[1] 杨平雄[1] 褚君浩[1,2,3] 

机构地区：[1]华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241 [2]上海太阳能电池研究与发展中心,上海201201 [3]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《红外与毫米波学报》2014年第4期395-399,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：中国科学院知识创新工程重要方向项目(KGCX2-YW--8);上海市2012年度"科技创新行动计划"节能减排领域项目(12dz1201000)~~

摘　　要：薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数.通过实验测量与理论分析,给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系,提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法,探讨了偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用.Quantum efficiency measured at different voltage varies in a wide range. Compensation of the window layer, quality of the main junction and the value of back contact barrier can be derived from the voltage dependent quantum effi- ciency at different wavelength region. Depletion width and diffusion length of the minority carder can be calculated from the apparent quantum efficiency. Relationship of the depletion width, diffusion length of the minority carder and appar- ent quantum efficiency is presented in the article. A new method to calculate the depletion width and diffusion length of the minority carrier is proposed. Furthermore, we discussed the feasibility of studying thin film solar cells via its voltage dependent quantum efficiency.

关 键 词：偏压量子效率 薄膜太阳能电池 耗尽区宽度 少子扩散长度 

分 类 号：TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动]