多量子阱激光器

作品数:42被引量:47H指数:3
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利用等效电路分析提高1550nm脉冲半导体激光发射模块性能
《激光与光电子学进展》2024年第9期350-358,共9页李莉 李林 应家驹 李刚 王元铂 
为适应人眼安全激光主动探测应用对探测激光高功率、窄脉宽的要求,提出了一种利用等效电路模型分析提高1550nm脉冲半导体激光发射模块性能的方法。基于特定激光器参数建立对应的等效电路模型,并将模型引入发射模块脉冲驱动电路,通过仿...
关键词:激光主动探测 1550nm多量子阱激光器 等效电路 高功率 窄脉冲宽度 
MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器被引量:1
《光通信研究》2018年第4期31-34,60,共5页朱天雄 贾华宇 李灯熬 罗飚 刘应军 
国家"八六三"计划资助项目(2015AA016901);山西省自然科学基金资助项目(2015011050)
为研制符合高线性大功率的应变多量子阱激光器,文章在理论上计算了应变补偿,实验选用了金属有机物化学气相沉淀(MOCVD)工艺来研制生长AlGaInAs应变补偿多量子阱结构,最终有源区采用了7组张压应变交替的势垒和势阱层。激光器样本芯片采...
关键词:激光器 量子阱 金属有机物化学气相沉淀 应变补偿 AlGaInAs/InP 共面电极 
反射式倒装对1300 nm激光器性能改善的分析被引量:2
《发光学报》2018年第4期534-540,共7页薛正群 王凌华 苏辉 
国家自然科学基金(61405198);国家863计划(2013AA014202)资助项目~~
对AlGaInAs多量子阱1300nmFP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相比,采用这种结构封装芯片垂直发散角从34.5°降低至17°,器件...
关键词:AlGaInAs多量子阱激光器 倒装 Au反射层 发散角 加速老化 
温度对InP激光器波长蓝移影响的分析被引量:6
《光子学报》2018年第1期7-12,共6页薛正群 王凌华 苏辉 
国家自然科学基金(No.61405198);国家高技术研究发展计划(No.2013AA014202)资助~~
对AlGaInAs多量子阱FP TO-56半导体激光器在不同环境温度、相同发热量下测量出光波长的变化来分析器件波长温度变化系数;并对器件在室温、不同发热功率下的出光波长变化进行测量,分析计算得到器件热阻为183K/W.接着对器件进行不同高温...
关键词:AlGaInAs多量子阱激光器 高温失效 热阻 波长蓝移 发散角 
AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器被引量:1
《激光技术》2017年第5期654-658,共5页朱天雄 贾华宇 李灯熬 罗飚 刘应军 田彦婷 
国家八六三高技术研究发展计划资助项目(2015AA016901);山西省自然科学基金资助项目(2015011050)
为了优化在长距离光纤通讯系统中采用的1.31μm波长的量子阱激光器,对AlGaInAs/InP材料的有源区应变补偿的量子阱激光器进行了设计研究。采用应变补偿的方法,根据克龙尼克-潘纳模型理论计算出量子阱的能带结构,设计出有源区由1.12%的压...
关键词:激光器 量子阱结构 应变补偿 AlGaInAs/InP 
AlGaInAs/InP多量子阱激光器的量子阱数的优化被引量:1
《激光杂志》2017年第9期9-13,共5页尹晋宏 贾华宇 李灯熬 罗飚 刘应军 
国家863计划课题(2015AA016901);山西省自然科学基金项目(2015011050)
为了研制符合"国家863"项目要求的,满足高线性大功率直接调制应变多量子阱半导体激光器,对AlGaInAs/InP应变多量子阱激光器的有源区的量子阱数及芯片生长工艺进行了研究。根据求解速率方程组、计算载流子浓度分布,分析瞬态过程和稳态过...
关键词:多量子阱 激光器 量子阱数 器件模拟 
InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数的优化被引量:2
《激光杂志》2017年第5期6-10,共5页赵霞飞 贾华宇 李灯熬 罗飚 刘应军 马臖 
国家863计划课题(2015AA016901);山西省自然科学基金项目(2015011050)
为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析。本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子阱激光器,提供了一种有源区结构优化方法。在...
关键词:多量子阱激光器 INGAASP/INP 有源区结构 量子阱个数 
980nm多量子阱激光器有源层的优化分析被引量:2
《科技创新与应用》2016年第6期24-25,共2页叶磊 张殿尧 李晓东 杨渝川 张天 
980nm波长量子阱激光器常用的有源层材料体系为InGaAs/AlGaAs体系。理论计算与仿真结果表明当有源层量子阱的个数为三个并且垒层材料的铝组分为0.12时,能够获得较低的阈值电流。
关键词:有源层结构 980nm 多量子阱 半导体激光器 
2μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计被引量:2
《红外与激光工程》2015年第7期1969-1974,共6页安宁 刘国军 李占国 李辉 席文星 魏志鹏 马晓辉 
国家自然科学基金(61006039;61370043)
利用LASTIP软件理论分析了有源区量子阱数目对不同组分的In Ga As Sb/Al Ga As Sb 2μm半导体激光器能带、电子与空穴浓度分布以及辐射复合率等性能参数的影响。研究表明:量子阱的个数是影响激光器件性能的关键参数,需要综合分析和优...
关键词:多量子阱激光器 有源区量子阱数目 数值模拟 
Control of chaos in an external-cavity multi-quantum-well laser subjected to dual-wedges and optical dual-feedback被引量:4
《Chinese Science Bulletin》2009年第7期1158-1163,共6页YAN SenLin 
Supported by the Academic Basal Research of Natural Science of Jiangsu Province of China (Grant No. 08KJD510019)
A multi-parameter chaos-control method used to control chaos in an external cavity multi-quantum-well (MQW) laser via the dual-wedges and external delayed optical dual-feedback is presented. The physical model of the ...
关键词:多量子阱激光器 混沌控制 光学长度 双反馈 双楔 外腔 稳定控制系统 反馈控制 
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