980nm多量子阱激光器有源层的优化分析  

作　　者：叶磊[1] 张殿尧[1] 李晓东[1] 杨渝川[1] 张天[1] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065

出　　处：《科技创新与应用》2016年第6期24-25,共2页Technology Innovation and Application

摘　　要：980nm波长量子阱激光器常用的有源层材料体系为InGaAs/AlGaAs体系。理论计算与仿真结果表明当有源层量子阱的个数为三个并且垒层材料的铝组分为0.12时,能够获得较低的阈值电流。

关 键 词：有源层结构 980nm 多量子阱 半导体激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]