张燕华

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：超晶格INASGASB暗电流密度焦平面更多>>
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锑基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术被引量：3
《激光与红外》2014年第3期258-260,共3页巩锋 马文全 谭振 刘铭 王亮 张燕华 邢伟荣 
InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一。本文报道了中波InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的设计、生长、器件工艺技术,制备出了高性能的128×128中波I...
关键词：INAS GASB II类超晶格 128×128 像元暗电流密度 量子效率 
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