徐建星

作品数：3被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：纳米线GAAS量子点淀积二氧化硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
所获基金：国家重大科学仪器设备开发专项国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划面上项目更多>>
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InGaAs/InAlAs光电导太赫兹发射天线的制备与表征
《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第12期1403-1409,1416,共8页陈益航 杨延召 张桂铭 徐建星 苏向斌 王天放 余红光 石建美 吴斌 杨成奥 张宇 徐应强 倪海桥 牛智川 
国家自然科学基金资助项目(62127804)。
光电导天线作为太赫兹时域光谱仪产生与探测太赫兹辐射的关键部件,具有重要的科研与工业价值。本文采用分子束外延(MBE)方法制备InGaAs/InAlAs超晶格作为1550 nm光电导天线的光吸收材料,使用原子力显微镜、光致发光、高分辨X射线衍射等...
关键词：太赫兹时域光谱仪 光电导天线 分子束外延 InGaAs/InAlAs超晶格 
HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析被引量：1
《红外与毫米波学报》2017年第6期790-794,共5页李金伦 崔少辉 徐建星 袁野 苏向斌 倪海桥 牛智川 
科技部"国家重大科学仪器设备开发专项"基金(2012YQ140005)~~
采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm^...
关键词：高电子迁移率晶体管 二维电子气 迁移率 太赫兹探测器 
片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺被引量：4
《红外与毫米波学报》2017年第2期220-224,234,共6页郭春妍 徐建星 彭红玲 倪海桥 汪韬 田进寿 牛智川 吴朝新 左剑 张存林 
国家自然科学基金(11204190;61274125);北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201610028005);科技部"国家重大科学仪器设备开发专项"基金(2012YQ14005)~~
提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材...
关键词：片上太赫兹天线集成 LT-GAAS 外延层转移 化学湿法腐蚀 
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