云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- LT-GAAS

LT-GAAS: 作品数：16被引量：27H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：文锦辉林位株张海潮郭冰彭红玲更多>>; 相关机构：中山大学中国科学院北京无线电计量测试研究所首都师范大学更多>>; 相关期刊：《Journal of Systems Engineering and Electronics》《红外与毫米波学报》《Chinese Physics B》《Chinese Physics Letters》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

Terahertz generation and detection of LT-GaAs thin film photoconductive antennas excited by lasers of different wavelengths: 《Chinese Physics B》2022年第2期677-680,共4页Xin Liu Qing-Hao Meng Jing Ding Zhi-Chen Bai Jia-Hui Wang Cong Zhang Bo Su Cun-Lin Zhang; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61575131)。; A new method of generating and detecting terahertz waves is proposed.Low-temperature-grown gallium arsenide(LT-Ga As)thin films are prepared by etching a sacrificial layer(Al As)in a four-layer epitaxial structure con...; 关键词：TERAHERTZ low-temperature-grown GaAs photoconductive antenna 1550-nm laser

基于微纳结构太赫兹光电导天线辐射特性研究被引量：2: 《太赫兹科学与电子信息学报》2021年第4期652-659,共8页蒋锐李全勇程爽王奇书辛胤杰; 吉林省科技资源开放共享服务平台与科研条件保障资助项目(20191004022TC); 光电导天线(PCA)作为常用的太赫兹发射器件,如何提高其辐射效率,成为国内外研究人员研究的重点。通过时域有限差分法对PCA辐射效率进行研究,在光敏层表面加入柱状结构,使更多的光被捕获到光敏层,模拟结果表明该结构具有显著增强辐射效...; 关键词：太赫兹光电导天线时域有限差分法微纳结构低温砷化镓(LT-GaAs)

基于LT-GaAs外延片的THz片上系统被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2021年第5期1373-1378,共6页吴蕊苏波赵亚平何敬锁张盛博张存林; 国家自然科学基金面上项目(61575131)资助。; 太赫兹(THz)波在物质检测方面发挥着巨大的作用,是一种非常有潜力的生化传感工具。但是传统的太赫兹时域光谱系统(TDS)结构复杂,系统的集成度低,占用空间较大。所以,如何对THz波进行有效引导、实现集成化传输并得到高质量光谱就成为太...; 关键词：太赫兹外延片 LT-GAAS 光电导天线片上系统

片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺被引量：4: 《红外与毫米波学报》2017年第2期220-224,234,共6页郭春妍徐建星彭红玲倪海桥汪韬田进寿牛智川吴朝新左剑张存林; 国家自然科学基金(11204190;61274125);北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201610028005);科技部"国家重大科学仪器设备开发专项"基金(2012YQ14005)~~; 提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材...; 关键词：片上太赫兹天线集成 LT-GAAS 外延层转移化学湿法腐蚀

Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with Compositionally Graded LT-GaAsxSb1-x Buffer Layers: 《Chinese Physics Letters》2017年第1期125-128,共4页于海龙吴皓越朱海军宋国峰徐云; Supported by the National Basic Research Program of China under Grant Nos 2015CB351902,2015CB932402 and 2012CB619203;the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61177070,11374295 and U1431231;the National Key Research Program of China under Grant No 2011ZX01015-001; We investigate the molecular beam epitaxy growth of GaSb films on GaAs substrates using compositionally graded GaAsxSb1-x buffer layers. Optimization of GaAsxSb1-x growth parameter is aimed at obtaining high GaSb crys...; 关键词：Buffer Layers LT

半导体所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线: 《电子元件与材料》2013年第4期5-5,共1页; 太赫兹（THz）波通常是指频率在0．1-10THz（波长介于微波与红外波之间的0．03-3．00mm范围）的电磁波。太赫兹成像和波谱技术将是太赫兹应用的主要技术。太赫兹具有高频和超短脉冲（皮秒量级）特性，使之具有很高的空间分辨率和时间分...; 关键词：太赫兹成像 LT-GAAS 应用半导体天线制备材料低温

半导体所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线: 《今日电子》2013年第2期25-25,共1页Mary; 太赫兹（THz）波通常是指频率在0．1～10THz（波长介于微波与红外波之间的0．03～3mm范围）的电磁波。; 关键词：太赫兹半导体天线制备应用材料低温电磁波

太赫兹瞬态响应光导开关的实验研究: 《光学与光电技术》2012年第6期62-65,共4页龚鹏伟马喆马红梅杨春涛; 采用飞秒激光激励光导开关能够产生脉宽皮秒甚至亚皮秒级的太赫兹脉冲,近年来,这项技术成为校准宽带示波器上升时间的有效手段。以低温生长砷化镓(LT-GaAs)为光导开关的基底,在飞秒激光激励下产生太赫兹脉冲,经共面波导传输,通过微波探...; 关键词：太赫兹脉冲光导开关共面波导 LT-GAAS

Modeling of terahertz pulse generation from LT-GaAs ultrafast photoconductive switches: 《Journal of Systems Engineering and Electronics》2011年第3期373-380,共8页Zhe Ma ongmei Ma Chuntao Yang Keming Feng; The technique of terahertz pulses generated from the photoconductive switches has been applied in the ultrafast electrical pulse metrology recently.A lumped-element theoretical model is established to describe the per...; 关键词：terahertz pulse photoconductive switch coplanar waveguide LT-GaAs.

5.1-ps passively mode-locked Nd:Gd_(0.42)Y_(0.58)VO_4 laser with a LT-GaAs absorber被引量：1: 《Chinese Optics Letters》2008年第5期361-363,共3页刘辉兰孙尧张帅一李涛李健; the National Natural Sci-ence Foundation of China (No.60478009);Ph.D Degrees Foundation of Ministry of Education of China (No.20050445001).; We propose a diode end-pumped passively mode-locked Nd：Gd0.42Y0.58VO4 （Nd：GdYVO4） laser at 1064 nm using a GaAs absorber grown at low temperature as the output coupler. Stable continuous-wave （CW） mode locking w...; 关键词：mode CW GaAs ps passively mode-locked Nd ND LT

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