冯兰胜

作品数：4被引量：8H指数：2
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：铝基片GAN反应动力学应变量更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《中国电力教育（中）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
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MOCVD反应室流场分析及其对GaN生长的影响被引量：2
《西安电子科技大学学报》2017年第1期171-175,共5页冯兰胜 过润秋 张进成 
国家自然科学基金资助项目(61334002);国家重大科技专项资助项目(2011ZX01002-001)
为了优化设计金属有机[化合物]CVD反应室,以生长出高质量的GaN材料,对一种垂直喷淋式金属有机[化合物]CVD系统中生长GaN材料的生长过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室中衬底石墨基座的旋转速度和反应室的高度对GaN生长过程中的气相传...
关键词：GAN 金属有机[化合物]CVD 反应室结构 反应动力学 
垂直式MOCVD中生长参数对GaN材料生长的影响被引量：2
《西安电子科技大学学报》2016年第5期178-182,共5页冯兰胜 过润秋 张进成 
国家自然科学基金资助项目(61334002);国家重大科技专项资助项目(2011ZX01002-001)
为了更好地研究GaN材料生长过程,笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室压力和进入反应室的气流速度对GaN的生长速率和厚度均匀性均有影响.随着反应...
关键词：GAN 金属有机物化学气相淀积 生长速率 反应动力学 
GaN薄膜外延过程的动力学蒙特卡洛仿真被引量：1
《西安电子科技大学学报》2016年第3期167-171,共5页冯兰胜 过润秋 张进成 
国家自然科学基金资助项目(61334002);国家重大科技专项资金资助项目(2011ZX01002-001)
为更好研究GaN材料的生长机理,提出了一种在金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN的化学反应生长模型,并结合动力学蒙特卡罗方法模拟了垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统中GaN的生长过程.模拟结果表明,在垂直喷淋式金属有机物化学...
关键词：GAN 动力学蒙特卡罗 反应模型 反应动力学 
PBL教学法在“电机与拖动”课程中的应用被引量：4
《中国电力教育（中）》2012年第5期63-64,80,共3页王卫东 勾燕洁 马伯渊 张大兴 冯兰胜 
西安电子科技大学2011年度教材建设基金立项项目的研究成果
PBL教学法是一种以问题为基础的教学方法,它能够体现以学生为中心的教学思想并培养学生分析问题和解决问题的能力。通过总结PBL教学法的实施经验,结合目前"电机与拖动"课程的实际教学情况,详细探讨了PBL模式在电机与拖动课程中的适用性...
关键词：PBL教学法 电机与拖动 评价体系 师生观念 
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