外延膜

作品数：80被引量：99H指数：4
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热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响
《人工晶体学报》2024年第10期1705-1711,共7页李阳 曹昆 介万奇 
国家重点研发计划(2022YFF0708100,2023YFF0716300);国家自然科学基金(52102009);陕西省自然科学基础研究计划(2022JQ-411)。
衬底的表面质量对生长膜层的质量有重要影响,衬底表面的粗糙度、均匀性、附着物残留及氧化层均是其表面质量的评价标准。本文报道了一种热处理方法,通过近距离升华设备原位去除GaSb(001)衬底上的氧化层后用于制备CdZnTe外延膜。通过控...
关键词：CDZNTE GASB 外延生长 薄膜 物理气相沉积 热处理 半导体 
915 MHz高功率MPCVD设备生长8-inch金刚石外延膜被引量：2
《硬质合金》2023年第2期98-104,共7页杨国永 杨明阳 王博 王跃忠 鲁云祥 宋惠 易剑 西村一仁 江南 
宁波市科技攻关重大专项《高功率芯片封装用大尺寸金刚石散热基底关键制造与加工技术》(20211ZDYF020198);宁波市甬江引才工程青年创新人才项目《红外光学材料技术》(2021A-108-G)。
金刚石外延膜具有良好的热学、光学和化学稳定性,同时能够满足大尺寸的制备需求,是红外窗口和散热应用中理想的材料。受限于目前金刚石应用中尺寸较小等问题,制备大尺寸高质量的金刚石一直是人们追求的目标。本文采用自行研制的915 MHz/...
关键词：金刚石外延膜 大尺寸 MPCVD 红外窗口材料 915 MHz 
衬底表面处理对原子层沉积法生长GaN薄膜的影响被引量：1
《半导体光电》2021年第3期375-379,417,共6页李佳 王文樑 季小红 
国家自然科学基金项目(51572092)。
采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和...
关键词：GAN 等离子增强原子层沉积 外延膜 衬底预处理 
高分子辅助沉积法制备Sm_(x)Nd_(1-x)NiO_(3)外延薄膜
《稀有金属材料与工程》2021年第5期1518-1522,共5页姚丹 汪伟伟 童瑞雪 
Natural Science Foundation of Anhui Jianzhu University(2019QDZ63)。
采用高分子辅助沉积法制备掺杂不同钐(Sm)含量的Sm_(x)Nd_(1-x)NiO_(3)外延薄膜(钐掺杂量x=0.5,0.55,0.6)。X射线衍射(特征θ-2θ扫描、摇摆曲线和φ-scan)和扫描电子显微镜的测试结果表明,制备的薄膜结晶性和外延性良好,与衬底的(001)...
关键词：镍酸盐 金属绝缘体转变 外延膜 高分子辅助沉积法 
外延膜的高分辨X射线衍射分析被引量：1
《金属学报》2020年第1期99-111,共13页李长记 邹敏杰 张磊 王元明 王甦程 
广泛应用于半导体、铁电和光电材料中的外延结构特征以及应变和缺陷会影响外延膜的物理/化学性能。高分辨X射线衍射是对外延结构进行无损准确表征的关键技术。本文从高分辨X射线衍射与外延结构倒易空间的关系出发,重点阐述高分辨X射线...
关键词：薄膜生长 外延膜 高分辨X射线衍射 倒易空间作图 
蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析
《半导体光电》2016年第4期524-527,共4页王雪蓉 刘运传 孟祥艳 周燕萍 王康 王倩倩 
国防基础科研计划项目(J092009A001)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚Al_xGa_(1-x)N外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷,通过高分辨X射线衍射试验对Al_xGa_(1-x)N外延膜进行ω/2θ扫描,结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结...
关键词：铝镓氮外延膜 MOCVD 高分辨X射线衍射 晶格常数 应变 
厚度对CoPt、Co_3Pt合金薄膜介稳定有序相影响
《金属功能材料》2015年第4期59-59,共1页
日本中央大学理工学院Mitsru Ohtake等人采用MgO（111）单晶基体，加热到300℃，制备CoPt和Co3Pt外延膜，从密排面有序度和原子堆垛次序观点研究膜结构。测定结果表明，这两种合金膜都形成了介稳定有序相，分别含有LI1相和Bh（＋DO19）...
关键词：有序相 合金薄膜 稳定 厚度 测定结果 外延膜 膜结构 有序度 
Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响被引量：2
《发光学报》2015年第4期466-471,共6页武芹 全知觉 王立 刘文 张建立 江风益 
国家自然科学基金(11364034);江西省科技支撑计划(20141BBE50035)资助项目
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在具有偏角(0°~0.9°)的Si(111)衬底上生长了Ga N薄膜。采用高分辨X射线衍射(HRXRD)对Si衬底的偏角进行了精确的测量,利用HRXRD、原子力显微镜(AFM)以及光致发光(PL)对外延薄膜的晶体质量、量子阱...
关键词：SI衬底 偏角 GaN MOCVD 
InSb薄膜分子束外延技术研究被引量：9
《激光与红外》2013年第11期1256-1259,共4页刘铭 程鹏 肖钰 折伟林 尚林涛 巩锋 周立庆 
InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双...
关键词：InSb外延膜 分子束外延 晶体质量 128×128 
山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
《半导体信息》2013年第5期34-34,共1页季建平 
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域,以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块,零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日~10月4日举行的SiC功率半导体国际学会"ICSCRM2013"(日本宫崎县PhoenixSeagaiaReso...
关键词：亚洲企业 SIC 天岳 功率半导体 日本宫崎县 新日铁 销售代理商 量产化 产品化 外延膜 
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