刻蚀设备

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浅谈西门子PLC和VFD在链式湿法刻蚀设备中的应用
《中国设备工程》2025年第8期119-121,共3页张铠超 
在当前社会发展的过程中,自动化控制技术得到了快速的发展,西门子PLC和变频器VFD在光伏/半导体行业中得到了广泛的使用,本文就其在硅片链式酸刻设备控制系统中的应用进行阐述。刻蚀工艺的正确进行是很关键的,否则芯片将不能工作。不正...
关键词：西门子PLC和VFD 链式酸刻设备 刻蚀工艺 
一台薄膜沉积设备,需要哪些陶瓷部件?
《中国粉体工业》2025年第1期55-56,共2页
半导体设备可分为前道设备(晶圆制造)和后道设备(封装与测试)两大类。前道设备投资量占总设备的80%以上,刻蚀设备、薄膜沉积设备和光刻机分别占前道设备价值量的22%、22%和17%,是半导体前道生产工艺中的三大核心设备,决定了芯片制造工...
关键词：半导体设备 晶圆制造 刻蚀设备 光刻机 薄膜沉积 封装与测试 芯片制造工艺 价值量 
刻蚀设备中射频功率全态输出技术的研究
《中国科技期刊数据库 工业A》2024年第10期0168-0171,共4页陈立 
随着半导体工艺的快速发展,刻蚀设备在微电子制造领域扮演着至关重要的角色。总之,射频功率合成技术是刻蚀设备中射频功率全态输出技术的关键组成部分,射频功率全态输出技术作为刻蚀设备中的核心技术之一,对于提高刻蚀精度、效率和稳定...
关键词：刻蚀设备 射频功率 输出技术 
原子层刻蚀装置专利技术现状
《中国科技信息》2024年第16期30-33,共4页陈颂杰 韩增智 龚雪薇 
随着半导体制造工艺向5nm甚至3nm演进,原子层刻蚀工艺(简称为ALE)的关注度得到了提升。原子层刻蚀设备简介原子层刻蚀是指通过一系列的自限制反应去除单个原子层,不会触及和破坏底层以及周围材料的,一种能够精密控制被去除的材料量的先...
关键词：半导体制造工艺 原子层 刻蚀设备 刻蚀工艺 精密控制 专利技术 关注度 半导体生产工艺 
用于离子束刻蚀设备的冷却系统
《制造业自动化》2024年第2期61-63,67,共4页袁祖浩 龚俊 黄也 张双景 
为解决因离子束刻蚀基片的温度效应,采用冷却液和氦气冷却相结合的冷却方式,对离子束刻蚀的基片进行冷却,解决了一般冷却液冷却不充分导致基片升温过高的问题,且根据该冷却系统原理设计出工件台和控温系统,装载至M431-12/UM型离子束刻...
关键词：离子束刻蚀 温度效应 冷却系统 
神工股份:刻蚀机“互补品”
《企业家信息》2023年第4期109-111,共3页蒋忻 
半导体级单晶硅材料是集成电路产业链中重要的基础材料,按照其应用领域,可分为芯片用单晶硅材料和刻蚀用单晶硅材料。前者主要用于晶圆制造所需硅片,后者则用于加工制成刻蚀设备硅部件,而刻蚀用单晶硅部件是晶圆制造刻蚀环节所需的核心...
关键词：晶圆制造 芯片制造 单晶硅材料 刻蚀设备 刻蚀机 机械加工 设备需求 半导体 
基于腔体匹配的刻蚀设备智能化检测技术
《集成电路应用》2022年第7期32-37,共6页李琛 周涛 
国家科技重大专题课题(2011ZX02702_004)。
阐述腔体匹配(Chamber Matching, CM)是纳米尺度半导体工艺最为关键的挑战之一,随着特征尺寸的不断缩小,半导体工艺对细微误差变得越发敏感,对设备性能的一致性、稳定性提出了更高的要求。在量产Fab中,同一产品、工艺经过不同的腔体需...
关键词：集成电路制造 腔体匹配 智能检测 随机森林 主成分分析 
DRAM介质刻蚀工艺和设备发展简述
《微纳电子与智能制造》2022年第2期105-112,共8页胡增文 侯剑秋 周娅 
本文从动态随机存储(DRAM)架构和制造出发,介绍DRAM刻蚀工艺,包括图形、材料、化学气体以及设备;重点阐述20 nm以下DRAM介质刻蚀的工艺挑战,分析工艺类型、工艺特点并提出解决方案;从工艺概念和硬件功能两方面追踪对应的CCP刻蚀设备发...
关键词：DRAM 介质刻蚀 CCP刻蚀设备 集成电路制造 工艺与硬件 
干法刻蚀方面过孔截面的异常凸出机理研究与改善被引量：1
《真空科学与技术学报》2020年第9期838-842,共5页崔立加 徐纯洁 查甫德 项龙飞 金鑫 刘杰 徐浩 赵双 
本文采用了鱼骨图,DOE田口设计的分析方法,使用电感耦合等离子体刻蚀设备对准备刻蚀PVX层过孔的有机膜型玻璃基板进行刻蚀,根据实验的结果,确定了发生的工序,通过对有机膜型玻璃基板过孔截面部位的异常凸出机理影响因素进行分析,改善工...
关键词：电感耦合等离子体刻蚀设备 有机膜型玻璃基板 过孔 异常凸出 
40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善
《半导体技术》2019年第3期194-200,共7页贺金鹏 蒋晓钧 明安杰 傅剑宇 罗军 王玮冰 陈大鹏 
国家自然科学基金资助项目(61335008;61874137;61601455)
随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度...
关键词：高深宽比 接触孔刻蚀 侧壁形貌 刻蚀选择比 接触电阻 刻蚀设备耗材 
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