原子层刻蚀装置专利技术现状  

作　　者：陈颂杰 韩增智 龚雪薇 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心

出　　处：《中国科技信息》2024年第16期30-33,共4页China Science and Technology Information

摘　　要：随着半导体制造工艺向5nm甚至3nm演进,原子层刻蚀工艺(简称为ALE)的关注度得到了提升。原子层刻蚀设备简介原子层刻蚀是指通过一系列的自限制反应去除单个原子层,不会触及和破坏底层以及周围材料的,一种能够精密控制被去除的材料量的先进半导体生产工艺。

关 键 词：半导体制造工艺 原子层 刻蚀设备 刻蚀工艺 精密控制 专利技术 关注度 半导体生产工艺 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学] G255.53[文化科学—图书馆学]