最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT  

A THz InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with f_(max) of 416 GHz

作　　者：程伟[1] 王元[1] 赵岩[1] 陆海燕[1] 牛斌[1] 高汉超[1] 

机构地区：[1]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2013年第6期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。

关 键 词：InGaAs InP 最高振荡频率 太赫兹 DHBT GHz 异质结双极型晶体管 集成功率放大器 l f噪声 

分 类 号：TN491[电子电信—微电子学与固体电子学]