AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟  

Simulation on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HBTs

作　　者：冉军学[1] 王晓亮[1] 王翠梅[1] 王军喜[1] 曾一平[1] 李晋闽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期147-150,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,2002CB311903)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目

摘　　要：对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频率性能.

关 键 词：HBTS ALGAN/GAN 截止频率 最高振荡频率 

分 类 号：TN325+.3[电子电信—物理电子学]