吴海雷

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：碳化硅碳化硅衬底PIN微结构外延层更多>>
发文领域：电子电信机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体光电》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
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4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究被引量：1
《半导体光电》2011年第3期359-362,共4页闫果果 孙国胜 吴海雷 王雷 赵万顺 刘兴昉 董林 郑柳 曾一平 
国家自然科学基金项目(60876003);中国科学院项目(Y072011000);中科院知识创新项目(Y072011000)
利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷,研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化...
关键词：碳化硅 低压化学气相沉积 同质外延 扩展缺陷 
立方相SiC MEMS器件研究进展被引量：2
《微纳电子技术》2010年第7期415-424,共10页杨挺 孙国胜 吴海雷 闫果果 宁瑾 赵永梅 刘兴昉 罗木昌 王雷 赵万顺 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876003)
主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适...
关键词：立方相碳化硅 MEMS器件 基本结构 加工工艺 测试结果 可靠性 
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