立方相SiC MEMS器件研究进展  

Research Progress in Cubic SiC MEMS Devices

作　　者：杨挺[1] 孙国胜[1] 吴海雷[1] 闫果果[1] 宁瑾[2] 赵永梅[2] 刘兴昉[1] 罗木昌[3] 王雷[1] 赵万顺[1] 曾一平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京100083 [3]中国电子科技集团公司第四十四研究所,重庆400060

出　　处：《微纳电子技术》2010年第7期415-424,共10页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60876003)

摘　　要：主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视。随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化。Novel cubic silicon carbide （3C-SiC） MEMS devices with larger market potential around the world in recent years are introduced.Basic structures,fabrication processes and preliminary test results of some typical devices are described in detail.Furthermore,it is pointed out that,in order to improve the reliability of devices,the films with low residual stress and low stress gradient must be obtained,the suitable etching method should be adopted,the stability of metal-SiC ohmic contact need be ensured,and the high temperature wire bonding and packaging process cannot be ignored.3C-SiC based MEMS devices will be gradually commercialized with the cost reduction of material growth and fabrication.

关 键 词：立方相碳化硅 MEMS器件 基本结构 加工工艺 测试结果 可靠性 

分 类 号：TH703[机械工程—仪器科学与技术] TN304.24[机械工程—精密仪器及机械]