杨挺

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：碳化硅PIN微结构材料微结构外延层更多>>
发文领域：电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》更多>>
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立方相SiC MEMS器件研究进展被引量：2
《微纳电子技术》2010年第7期415-424,共10页杨挺 孙国胜 吴海雷 闫果果 宁瑾 赵永梅 刘兴昉 罗木昌 王雷 赵万顺 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876003)
主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适...
关键词：立方相碳化硅 MEMS器件 基本结构 加工工艺 测试结果 可靠性 
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