董林

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：碳化硅4H-SIC晶体生长真空系统薄膜生长更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体光电》《军民两用技术与产品》更多>>
所获基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
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新一代宽禁带4H-SiC功率半导体外延材料的产业化进展被引量：1
《军民两用技术与产品》2013年第6期36-38,共3页孙国胜 董林 俞军 闫果果 李锡光 王占国 
使用10×100mm暖壁行星式外延生长系统进行了4H-SiC大面积多片外延生长,获得了具有良好掺杂与厚度均匀性的高质量4H-SiC外延晶片。测试结果显示,所制得外延晶片X射线衍射谱最高峰的半高宽为26.74″,具有良好的结晶质量;片内厚度均匀性...
关键词：4H-SIC 外延生长 暖壁行星式外延生长系统 多片 
4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究被引量：1
《半导体光电》2011年第3期359-362,共4页闫果果 孙国胜 吴海雷 王雷 赵万顺 刘兴昉 董林 郑柳 曾一平 
国家自然科学基金项目(60876003);中国科学院项目(Y072011000);中科院知识创新项目(Y072011000)
利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷,研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化...
关键词：碳化硅 低压化学气相沉积 同质外延 扩展缺陷 
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