云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 郑柳

郑柳: 作品数：1被引量：1H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：4H-SIC碳化硅肖特基二极管真空系统薄膜生长更多>>; 发文领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《半导体光电》更多>>; 所获基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>

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4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究被引量：1: 《半导体光电》2011年第3期359-362,共4页闫果果孙国胜吴海雷王雷赵万顺刘兴昉董林郑柳曾一平; 国家自然科学基金项目(60876003);中国科学院项目(Y072011000);中科院知识创新项目(Y072011000); 利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷,研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化...; 关键词：碳化硅低压化学气相沉积同质外延扩展缺陷