何志

作品数：6被引量：26H指数：4
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：碳化硅刻蚀欧姆接触HEMT器件氮化物更多>>
发文领域：电子电信经济管理更多>>
发文期刊：《新材料产业》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目国家电网公司科技项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究被引量：3
《智能电网》2017年第8期752-756,共5页刘兴昉 闫果果 桑玲 郑柳 钮应喜 王嘉铭 张峰 杨霏 杨香 樊中朝 孙国胜 曾一平 温家良 何志 
国家重点研发计划(2016YFB0400500);北京市科技计划(D16110300430000);国家自然科学基金(61574140);全球能源互联网研究院项目(SGRI-GL-81-16-001)~~
基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱区,形成了P+(N+)/P/N-结构。一般采用高温高能离子注入的方式...
关键词：碳化硅 高压器件 外延 阱区 智能电网 
AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
《半导体技术》2016年第9期649-657,共9页邓小社 梁亚楠 贾利芳 樊中朝 何志 张韵 张大成 
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一...
关键词：AL GA N/Ga N 缓冲层 陷阱能级 电容瞬态测试 电流瞬态测试 
激光退火形成Ni/4H-SiC欧姆接触被引量：5
《半导体技术》2016年第9期690-694,共5页刘敏 何志 钮应喜 王晓峰 杨霏 杨富华 
国家自然科学基金资助项目(61376420;11234007);国家电网科技项目(SGRI-WD-71-14-004)
脉冲激光退火具有热积存小、高温影响深度浅等优点,用来制备Si C欧姆接触可以忽略高温对衬底背面结构的影响,更好地与减薄工艺兼容,从而提高器件性能。借助波长为532 nm的固态Nd∶YAG激光器退火Ni/4H-Si C结构,分析了激光脉冲能量与脉...
关键词：激光退火 Ni/4H-SiC 欧姆接触 能量阈值 能效 
4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀被引量：4
《微纳电子技术》2015年第1期59-63,共5页王进泽 杨香 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨富华 
国家电网科技项目(SGRI-WD-71-14-004)
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB...
关键词：碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) SF6/O2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率 
第3代半导体电力电子功率器件和产业发展趋势被引量：8
《新材料产业》2014年第3期8-12,共5页何志 
一，第3代半导体材料发展简介 全球经济的高速增长带来了能源的快速消耗和CO，排放引起的温室效应。《联合国气候变化框架公约》下的《京都议定书》规定了世界各国的减排任务，其中，中国2020年单位国内生产总值二氧化碳排放要比2005...
关键词：半导体 第3代 《联合国气候变化框架公约》 发展趋势 功率器件 电力电子 二氧化碳排放 《京都议定书》 
GaN基SBD功率器件研究进展被引量：6
《微纳电子技术》2014年第5期277-285,296,共10页李迪 贾利芳 何志 樊中朝 王晓东 杨富华 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032302);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2012CB934204);国家自然科学基金资助项目(61076077;61274066);北京市科技计划资助项目(Z13110300590000)
作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN ...
关键词：氮化镓 肖特基势垒二极管(SBD) 功率器件 肖特基金属 漏电流 等离子体处理 
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